型号：5N65-MLQ
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：650 V
　　最大漏极电流（Id）：4.8 A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2 Ω @ Vgs=10V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：3 V ~ 5 V
　　最大功耗（Pd）：50 W
　　输入电容（Ciss）：550 pF @ Vds=25V
　　开关时间（开启时间）：35 ns
　　开关时间（关闭时间）：70 ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220F

5N65-MLQ的核心优势在于其基于TrenchMOS工艺制造的高性能结构，这种结构通过优化沟道设计显著降低了单位面积的导通电阻，从而在保持高电压阻断能力的同时实现了较低的Rds(on)值。这使得器件在导通状态下产生的焦耳热更少，提高了系统整体的能效表现，并允许设计者在不增加额外散热措施的情况下提升功率密度。该器件的低栅极电荷（Qg）特性进一步增强了其高频开关能力，减少了驱动电路所需的能量，尤其适合用于高频SMPS拓扑如反激式、正激式或LLC谐振转换器中。
　　另一个关键特性是其出色的热稳定性与长期可靠性。TO-220F封装不仅提供了良好的机械强度，还具备优异的热传导路径，使芯片结温能够有效传递至散热器，防止局部过热导致的性能退化或失效。此外，器件内部采用了先进的钝化层和金属互连技术，增强了对湿度、污染和热循环应力的抵抗能力，确保在恶劣工业环境中长期稳定运行。5N65-MLQ还具备较强的dv/dt抗扰能力，减少了因快速电压变化引发的误触发风险，提高了系统的电磁兼容性（EMC）表现。
　　在安全保护方面，5N65-MLQ具备一定的单脉冲雪崩能量耐受能力，意味着其可以在遭遇瞬态过压事件（如感性负载断开）时吸收一定能量而不发生永久性损坏。这一特性对于提升电源系统的鲁棒性和降低故障率至关重要。同时，其较宽的栅极阈值电压范围保证了器件在不同温度和工艺偏差下仍能可靠开启，避免了误导通或开启不足的问题。综合来看，5N65-MLQ是一款集高耐压、低损耗、高可靠性和良好动态响应于一体的功率MOSFET，非常适合用于对效率和稳定性要求较高的中等功率电源应用场合。

5N65-MLQ主要应用于各类中等功率开关电源系统，包括适配器、充电器、LED驱动电源以及工业电源模块等。由于其650V的高击穿电压，特别适合用于通用输入电压范围（85–265V AC）的离线式电源设计，可直接接入市电而无需额外的电压钳位电路。在反激式转换器拓扑中，5N65-MLQ常被用作主开关管，利用其低导通损耗和快速开关特性来提高转换效率并减少变压器体积。
　　此外，该器件也广泛用于DC-DC升压或降压变换器中，尤其是在太阳能逆变器、UPS不间断电源和电动工具控制器等设备中发挥重要作用。在电机驱动应用中，5N65-MLQ可用于小功率直流电机或步进电机的H桥驱动电路，提供高效的电流切换能力。其高结温工作能力和良好的热稳定性使其适用于密闭或通风不良的环境，例如嵌入式控制系统或户外电子设备箱体内。
　　在照明领域，特别是高亮度LED路灯或商业照明系统中，5N65-MLQ可用于恒流驱动电路中的功率开关元件，配合PWM调光技术实现精准亮度控制。同时，由于其具备较好的EMI性能，有助于满足严格的电磁干扰法规要求。在家电产品如空调、洗衣机、微波炉的电源管理单元中，该器件也能胜任辅助电源或主电源开关的角色。总之，凡是在需要高效、可靠地进行650V级别电力控制的场景，5N65-MLQ都是一种成熟且值得信赖的选择。

STP5NK60ZFP, FQP6N60L, KF5N65, 5N65S