您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > 5N60ZL

5N60ZL 发布时间 时间:2025/12/27 7:55:19 查看 阅读:13

5N60ZL是一款N沟道增强型高压功率MOSFET,采用先进的平面条形沟槽栅极技术制造,具有高可靠性、高性能和良好的热稳定性。该器件主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种中等功率的电源管理系统中。其额定电压为600V,能够承受较高的漏源击穿电压,适用于需要高耐压能力的应用场景。5N60ZL通常封装在TO-220或TO-220F等标准功率封装中,便于安装散热片以提升散热性能。该MOSFET设计用于在高频开关条件下工作,具备较低的导通电阻和快速的开关响应能力,有助于提高系统效率并减少能量损耗。此外,5N60ZL还具备良好的抗雪崩能力和坚固的栅极氧化层结构,能够在瞬态过压和过流条件下保持稳定运行。由于其优异的电气特性和成本效益,5N60ZL广泛应用于消费类电子、工业控制、照明电源及适配器等领域。

参数

型号:5N60ZL
  封装类型:TO-220/TO-220F
  极性:N沟道
  漏源电压(Vds):600V
  栅源电压(Vgs):±30V
  连续漏极电流(Id):5A(@25℃)
  脉冲漏极电流(Idm):20A
  导通电阻(Rds(on)):1.8Ω(max @ Vgs=10V)
  阈值电压(Vgs(th)):2.0V ~ 4.0V
  输入电容(Ciss):950pF(@Vds=25V)
  输出电容(Coss):150pF(@Vds=25V)
  反向恢复时间(trr):典型值30ns
  功耗(Pd):50W(@Tc=25℃)
  工作结温范围(Tj):-55℃ ~ +150℃

特性

5N60ZL具备多项关键特性,使其在中高压功率应用中表现出色。首先,其600V的高漏源击穿电压确保了在离线式开关电源等高压环境下的安全运行,尤其适合反激式变换器和AC-DC转换电路。其次,该器件采用了优化的平面沟槽栅结构,实现了较低的导通电阻(Rds(on)),最大仅为1.8Ω,在Vgs=10V条件下显著降低了导通损耗,提升了整体能效。这一特性对于需要长时间连续工作的电源设备尤为重要。
  此外,5N60ZL具有良好的开关特性,输入和输出电容较小,使得其在高频开关操作下仍能保持较低的开关损耗,支持高达数十kHz甚至更高的开关频率,有利于减小磁性元件体积,实现电源小型化。同时,其栅极阈值电压范围合理(2.0V~4.0V),兼容多种常见的PWM控制器驱动信号,包括基于3.3V或5V逻辑的控制芯片,增强了系统设计的灵活性。
  该器件还具备较强的抗雪崩能力,能够在负载突变或短路等异常工况下吸收一定的感性能量,避免因电压尖峰导致的永久性损坏。其坚固的栅氧层设计也提高了对静电放电(ESD)和电压瞬变的耐受能力。TO-220封装形式不仅提供了良好的电气隔离,而且便于加装散热器,有效管理热应力,延长器件寿命。综合来看,5N60ZL在性能、可靠性和成本之间取得了良好平衡,是中小功率电源设计中的优选器件之一。

应用

5N60ZL广泛应用于各类中低功率开关电源系统中。典型应用场景包括:手机充电器、笔记本电脑适配器、LED驱动电源、家用电器内置电源模块等消费类电子产品;此外,在工业领域如PLC电源、继电器驱动、小型逆变器和DC-DC变换器中也有广泛应用。由于其具备600V耐压能力,特别适用于将交流市电(85V~265V AC)整流后进行高频斩波的反激式(Flyback)或准谐振(QR)拓扑结构中,作为主开关管使用。
  在LED照明电源中,5N60ZL可用于恒流控制电路的初级侧开关,配合专用的PWM控制器实现高效调光与稳定输出。在电机驱动应用中,它可作为低端开关用于H桥或半桥电路中,控制直流电机或步进电机的启停与方向切换。此外,该器件还可用于UPS不间断电源、电子镇流器、智能电表电源模块等对可靠性要求较高的场合。
  得益于其良好的热稳定性和抗干扰能力,5N60ZL在高温或电磁环境复杂的工业现场仍能保持稳定工作。其标准化封装也便于自动化贴装和维修替换,进一步提升了其在批量生产中的适用性。因此,无论是在民用还是工业级电源设计中,5N60ZL都是一种成熟且值得信赖的选择。

替代型号

KSE5N60ZM
  STP5NK60ZFP
  FQA5N60C
  IRFBC40

5N60ZL推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价