类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：5A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：20A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤1.8Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：600pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：150pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：30ns
　　最大功耗（Pd）：50W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

5N50L的核心特性之一是其高达500V的漏源击穿电压，使其非常适合用于离线式开关电源设计，例如反激式变换器和有源钳位电路。这一高耐压能力允许器件在输入电压波动较大的环境中稳定运行，增强了系统的可靠性和安全性。此外，该MOSFET具备相对较低的导通电阻（典型值低于1.8Ω），有助于减少导通状态下的功率损耗，从而提升整体电源转换效率，特别是在满载或重载工况下表现优异。
　　另一个显著特点是其优化的开关性能。5N50L具有适中的栅极电荷（Qg）和较低的输入/输出电容，这使得它能够在高频开关应用中快速开启和关闭，降低开关过程中的能量损耗。这对于提高开关电源的工作频率、减小磁性元件体积以及实现小型化设计至关重要。同时，较低的反向恢复时间也减少了体二极管在关断时产生的尖峰电压，降低了电磁干扰（EMI）风险，并提升了系统稳定性。
　　该器件还具备良好的热性能，TO-220封装提供了有效的散热路径，可在不使用额外散热片的情况下处理一定功率等级的应用。其宽泛的结温工作范围（-55°C至+150°C）确保了在恶劣环境温度条件下的长期可靠性。此外，±30V的栅源电压耐受能力提高了对异常驱动信号的容忍度，防止因驱动电路瞬态过压导致器件损坏。
　　5N50L的高输入阻抗特性意味着它几乎不从控制电路汲取电流，仅需微小的栅极驱动功率即可完成开关动作，适合与PWM控制器直接连接，简化了驱动电路设计。综合来看，5N50L在高压、中等电流的开关应用中表现出色，兼顾了性能、成本与可靠性，是中小功率电源系统中的主流选择之一。

5N50L主要应用于各类开关模式电源系统中，尤其是在需要高压操作的场合。典型应用包括AC-DC适配器、手机充电器、笔记本电源、LED驱动电源以及家用电器中的内置电源模块。由于其500V的耐压能力和5A左右的额定电流，特别适用于反激式（Flyback）拓扑结构的离线电源设计，这类结构常见于20W至100W功率范围内的产品。
　　在工业领域，5N50L可用于电机控制电路中的低端开关、继电器驱动或电磁阀控制，利用其快速响应和低导通损耗优势实现高效能量管理。此外，在UPS不间断电源、逆变器和DC-DC升压/降压转换器中，该MOSFET也可作为主开关元件使用，承担能量传递和电压调节功能。
　　在照明系统中，特别是LED恒流驱动电源中，5N50L常被用作初级侧开关管，配合专用控制IC实现恒功率输出和调光功能。其稳定的电气特性和良好的热稳定性有助于延长灯具使用寿命。
　　此外，5N50L还可用于电池管理系统（BMS）、太阳能充电控制器等新能源相关设备中，作为功率切换开关使用。由于其封装易于安装且具备一定的散热能力，适合在紧凑型设备中进行PCB布局和热管理设计。总之，凡涉及中高压直流或交流整流后的开关控制场景，5N50L均是一个经济且可靠的解决方案。

[
　　 "FQP5N50L",
　　 "KSA5N50L",
　　 "STP5NK50Z",
　　 "2SK3569",
　　 "5N50C"
　　]