时间：2025/12/27 8:28:51
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5N50L-TF是一款由UTC（友顺科技）生产的N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-220F封装形式。该器件主要设计用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及其他需要高效率和高耐压能力的电力电子应用中。5N50L-TF的漏源击穿电压（BVDSS）为500V，能够承受较高的电压应力，适用于工业控制、消费类电子产品及照明驱动等场景。该MOSFET具有较低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。此外，其栅极阈值电压适中，便于与常见的PWM控制器或驱动电路配合使用。
5N50L-TF在制造工艺上采用了平面场效应技术，具备良好的热稳定性和可靠性。器件通过了多项国际安全认证，符合RoHS环保要求，并支持无铅焊接工艺。由于其封装带有散热片（TO-220F），因此在不额外增加散热器的情况下也能有效散发工作时产生的热量，适合紧凑型电源设计。该型号广泛应用于AC-DC适配器、LED恒流电源、电机驱动模块等领域，是中等功率开关应用中的常见选择之一。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：5A（@TC=100℃）
脉冲漏极电流（ IDM）：20A
导通电阻（RDS(on)）：≤2.0Ω（@VGS=10V）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V～4.0V
输入电容（Ciss）：600pF（@VDS=25V）
输出电容（Coss）：120pF（@VDS=25V）
反向恢复时间（trr）：30ns
工作结温范围（Tj）：-55℃～+150℃
封装形式：TO-220F
5N50L-TF具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于高耐压与低导通电阻的结合，使其在500V级功率MOSFET中具有较强的竞争力。该器件的漏源击穿电压高达500V，确保在瞬态过压或负载突变情况下仍能保持稳定运行，避免因电压击穿导致的失效问题。同时，其导通电阻在标准测试条件下（VGS=10V）不超过2.0Ω，这一数值在同类产品中处于合理水平，有助于降低导通期间的功率损耗，提高电源系统的转换效率，尤其适用于对能效要求较高的绿色能源产品。
该MOSFET的栅极驱动特性良好，栅源阈值电压范围为2.0V至4.0V，能够在多种控制信号下可靠开启，兼容多数PWM控制器的输出逻辑电平。输入电容较小（Ciss=600pF），意味着驱动电路所需提供的充电能量较少，从而降低了驱动损耗并提升了开关速度。输出电容（Coss=120pF）和反向恢复时间（trr=30ns）也控制在较低水平，有利于减少关断过程中的电压尖峰和电磁干扰，提升系统的EMI性能。
从结构上看，TO-220F封装内置金属散热片，可直接安装于散热器上，实现高效热传导。这种封装方式不仅增强了器件的长期工作可靠性，还简化了PCB布局和热管理设计。此外，5N50L-TF采用环保材料制造，符合无铅和RoHS标准，适用于出口型电子产品。器件还具备良好的雪崩能量耐受能力，在非正常工作状态下（如短路或浪涌）表现出一定的自我保护能力，延长了整个电源系统的使用寿命。综合来看，5N50L-TF是一款性价比高、适用范围广的中功率高压MOSFET，适合大批量自动化生产使用。
5N50L-TF广泛应用于各类中等功率的开关电源系统中，典型用途包括通用AC-DC适配器、手机充电器、笔记本电源模块、LED照明驱动电源以及小型逆变器设备。在这些应用中，它通常作为主开关管使用，负责将直流电压高频斩波，配合变压器完成电压变换与能量传递。由于其500V的耐压能力，特别适合用于85V～265V宽电压输入的离线式反激变换器（Flyback Converter）拓扑中，能够应对电网波动带来的高压冲击。
在LED恒流驱动电路中，5N50L-TF可用于隔离式或非隔离式降压/升压拓扑结构，实现对LED负载的精确电流控制。其快速的开关响应能力和较低的导通损耗有助于提升调光精度和光效表现。此外，在小型电机驱动、电磁阀控制及工业自动化电源模块中，该器件也可作为功率开关元件，承担启停控制和过流保护功能。
由于其封装具备良好的散热性能，5N50L-TF也常被用于密闭空间内的高密度电源设计，例如智能电表、网络通信设备电源板、安防监控摄像头供电单元等。在这些场合，元器件需在高温环境下长时间稳定运行，而5N50L-TF的热阻较低且结温可达150℃，满足严苛的环境适应性要求。总之，该MOSFET凭借其高可靠性、易驱动性和成本优势，在消费电子、工业控制和照明领域均有广泛应用前景。
KSE5N50L, 5N50L, FQP5N50L, STP5NK50ZFP, 2SK3569
