类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：5A
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.2Ω（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：70W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

5N5011具有多项优良的电气特性和结构设计，使其适用于多种高要求的电力电子应用。
　　首先，其高耐压特性（VDS=500V）使得该器件非常适合用于高压电路中，如开关电源、马达驱动和照明系统。其N沟道增强型结构能够在相对较低的栅极电压下实现高效的导通控制，有助于降低系统的功耗。
　　其次，该MOSFET具备较低的导通电阻（RDS(on)），典型值为1.2Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。在高频开关应用中，低RDS(on)和快速开关特性相结合，可进一步提升转换效率并减小散热器的尺寸。
　　再者，5N5011采用TO-220封装，具有良好的散热性能和机械强度，能够适应较为严苛的工作环境。其最大功耗为70W，可在较高温度下稳定运行。
　　此外，该器件具备较高的栅极电压耐受能力（±30V），提高了在复杂电磁环境中的抗干扰能力，并允许使用较宽范围的驱动电路设计。5N5011还具有快速开关响应时间，有助于减少开关过程中的能量损耗，从而提高系统效率并减少发热问题。
　　最后，该MOSFET具有较强的抗雪崩能力，能够在短时间的过压或过流情况下保持稳定工作，提高了器件的可靠性和使用寿命。

5N5011广泛应用于各种电力电子系统中，尤其适合需要中高电压和中等电流控制的场合。
　　在开关电源（SMPS）中，5N5011常用于初级侧的开关元件，负责将输入的直流电压转换为高频交流信号，以便通过变压器进行电压变换。其高耐压和低导通电阻特性可以有效提高转换效率并减少发热。
　　在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为高边或低边开关，用于调节输出电压和电流。例如，在升压（Boost）或降压（Buck）电路中，5N5011能够快速切换以实现高效的能量传输。
　　在电机控制应用中，如直流无刷电机驱动器和步进电机控制器，5N5011可用于构建H桥电路，实现电机的正反转和速度调节。其快速开关特性和良好的热稳定性确保了电机运行的平稳性和可靠性。
　　此外，该器件也适用于LED照明驱动、电池充电器、负载开关和电源管理模块等应用。由于其具备良好的抗干扰能力和高可靠性，5N5011在工业自动化设备、家用电器和消费类电子产品中也有广泛应用。
　　在一些特殊应用中，如逆变器和UPS（不间断电源）系统中，5N5011也可以作为功率开关元件使用，配合其他控制芯片实现高效的能量转换。

IRF840, FQP5N50, STP5NK50Z