型号：5N40KL-TN3-R
　　制造商：onsemi
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：17A（@Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：70A
　　导通电阻（Rds(on)）：18.8mΩ（@Vgs=10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：23mΩ（@Vgs=4.5V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V（@Id=250μA）
　　输入电容（Ciss）：1320pF（@Vds=20V）
　　输出电容（Coss）：490pF（@Vds=20V）
　　反向恢复时间（trr）：24ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerSOT-8（SO-8）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　功耗（Pd）：3.6W（@Tc=25°C）

5N40KL-TN3-R采用安森美先进的Trench沟道技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关特性之间的平衡，特别适合高效率电源转换应用。其核心优势之一是低Rds(on)，在Vgs=10V时仅为18.8mΩ，而在常见的逻辑电平驱动电压4.5V下仍可保持23mΩ的低阻值，这显著降低了导通损耗，提高了系统整体能效。该器件的阈值电压范围为1.0V至2.5V，确保在低电压控制信号下也能可靠开启，兼容现代微控制器和数字逻辑电路的输出电平。
　　该MOSFET具有优良的开关速度，输入电容Ciss为1320pF，输出电容Coss为490pF，在高频开关应用中表现出较低的驱动损耗和快速的响应能力。其反向恢复时间trr仅为24ns，有助于减少体二极管反向恢复带来的开关损耗和电压尖峰，提升电源系统的稳定性和EMI性能。此外，器件的最大连续漏极电流可达17A（在壳温25°C条件下），脉冲电流能力高达70A，使其能够应对瞬态负载变化和突发电流需求，适用于高动态负载的应用环境。
　　PowerSOT-8封装不仅体积小巧，节省PCB空间，还具备良好的热传导性能，通过裸焊盘（exposed pad）有效将热量传递至PCB，提升散热效率。该封装支持自动化贴片生产，提高制造效率和产品一致性。5N40KL-TN3-R的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保在极端环境温度下仍能稳定运行。同时，该器件通过AEC-Q101车规认证，表明其在可靠性、寿命和环境耐受性方面达到汽车电子应用标准，可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等场景。

5N40KL-TN3-R广泛应用于各类需要高效、紧凑型功率开关的电子系统中。典型应用包括同步降压转换器（Buck Converter），在该拓扑中作为上下桥臂开关，实现高效的DC-DC电压转换，常见于主板VRM、CPU供电模块及嵌入式电源系统。由于其低导通电阻和快速开关特性，该器件在轻载和满载条件下均能保持高转换效率，减少能量损耗和发热。
　　在负载开关（Load Switch）电路中，5N40KL-TN3-R可用于控制电源路径的通断，实现对子系统的上电/断电管理，常用于便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的外设供电控制。其低静态电流和快速响应能力有助于延长电池续航时间并提升系统响应速度。
　　此外，该器件适用于电机驱动电路，尤其是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动中作为开关元件，提供可靠的电流控制能力。在电池管理系统（BMS）、USB电源开关、热插拔控制器和LED驱动电源中也有广泛应用。得益于其AEC-Q101认证，5N40KL-TN3-R还可用于汽车电子领域，如车载充电器、车灯控制模块和传感器电源管理单元。其表面贴装封装形式便于集成到高密度PCB设计中，满足现代电子产品小型化、轻薄化的发展趋势。

NVTFS4C04NLTXG
　　SISS10DN
　　FDS6680A