型号：5N100-FCQ
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：5.0 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：20 A
　　导通电阻（RDS(on) max）：0.12 Ω @ VGS = 10 V
　　导通电阻（RDS(on) max）：0.15 Ω @ VGS = 4.5 V
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：600 pF @ VDS = 50 V
　　输出电容（Coss）：120 pF @ VDS = 50 V
　　反向恢复时间（trr）：25 ns
　　最大功耗（PD）：1.25 W
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：PowerTight? 或等效SMD封装

5N100-FCQ采用了安森美成熟的TrenchMOS工艺技术，这种结构通过在硅片上刻蚀出深沟槽并形成栅极，显著提升了单位面积下的载流子迁移率，从而实现了更低的导通电阻和更高的电流密度。这一特性使得器件在中等功率开关应用中表现出色，尤其是在需要频繁启停或高频切换的电源拓扑中，例如同步整流、半桥/全桥架构中作为主开关使用时，能够有效降低传导损耗，提升系统效率。
　　该器件具有优秀的开关速度，得益于较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），使其在高达数百kHz甚至接近1MHz的开关频率下仍能保持较低的驱动损耗和较小的开关重叠损耗。这对于减小磁性元件体积、提高功率密度至关重要。同时，其内部寄生二极管具备较快的反向恢复特性，有助于减少换流过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），尤其在硬开关拓扑中表现更优。
　　热管理方面，5N100-FCQ采用高热导率封装材料和优化的芯片贴装工艺，确保热量能高效传递至PCB焊盘。其小型化的表面贴装封装不仅节省空间，还支持自动化贴片生产，适合大规模制造。此外，该器件具备良好的长期可靠性，在高温反偏（HTRB）、高温栅偏（HTGB）和温度循环测试中均表现出稳定的参数漂移控制能力，满足工业级和消费类产品的寿命要求。
　　安全性方面，5N100-FCQ内置一定的雪崩能量承受能力，可在瞬态过压事件中提供一定程度的自我保护，避免因电感负载突变导致的损坏。同时，其坚固的栅氧化层设计提高了对静电放电（ESD）的耐受性，增强了生产过程中的鲁棒性。综合来看，5N100-FCQ是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的中压MOSFET解决方案，适用于多种现代电力电子系统的设计需求。

5N100-FCQ主要应用于各类中低功率开关电源系统中，特别是在需要高效率和紧凑布局的场景下发挥重要作用。典型应用包括AC-DC适配器、USB-PD充电器、LED照明驱动电源以及工业用DC-DC转换模块。在这些应用中，它常被用作初级侧的开关管或次级侧的同步整流管，利用其低导通电阻和快速开关特性来降低能量损耗，提高整体转换效率。
　　在同步整流拓扑中，5N100-FCQ因其低RDS(on)和良好体二极管特性的配合，可替代传统肖特基二极管进行整流操作，大幅减少导通压降，特别适用于30W以内的反激式或正激式电源设计。此外，在电机控制领域，该器件可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，实现精确的方向与速度控制，同时具备良好的热稳定性以应对长时间运行带来的温升问题。
　　通信设备中的板载电源（Point-of-Load, POL）也是其重要应用方向之一。由于这类电源通常要求高集成度和高响应速度，5N100-FCQ的小型封装和优良动态性能恰好满足此类需求。另外，在电池管理系统（BMS）或便携式医疗设备中，该器件可用于电源路径管理或负载开关功能，提供高效的通断控制与过流保护机制。
　　由于其具备较高的耐压等级和足够的电流承载能力，5N100-FCQ还可用于太阳能微型逆变器、智能电表电源模块等新兴绿色能源与物联网终端设备中，助力实现节能环保目标。总之，该器件凭借其多方面的性能优势，已成为众多中端功率电子设计中的关键元器件选择。

FQP10N10, FDS6680A, SI4406DY, IRFSL100PbP