5N03 时间：2025/9/2 19:44:28 阅读：8

5N03 是一款常见的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电路、DC-DC转换器等领域。它具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适用于中高功率的开关应用。5N03通常采用TO-220或TO-252（DPAK）封装形式，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：3A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤0.045Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220 / TO-252

特性

5N03 MOSFET具备多项优良的电气和热性能特性。其低导通电阻（RDS(on)）确保在导通状态下损耗最小，提高系统效率。
　　该器件的最大漏源电压为30V，适用于多种低压电源应用，如电池供电设备、DC-DC转换器和负载开关。
　　其最大漏极电流为3A，能够在中等功率负载下稳定工作，适用于电机驱动、LED照明和电源管理模块。
　　5N03具备良好的热稳定性，封装设计有助于快速散热，延长器件寿命并提高系统可靠性。
　　此外，其栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V或12V驱动电路，便于与PWM控制器或微处理器配合使用。
　　由于其增强型结构，5N03在关闭状态下漏电流极低，有助于降低待机功耗，适用于对能效要求较高的应用场合。