5M40ZE64C5N 时间：2025/5/23 10:53:12 阅读：23

5M40ZE64C5N 是一款由 Cypress Semiconductor（已被 Infineon 收购）生产的非易失性 SRAM (NVSRAM) 芯片。该芯片结合了高速 SRAM 和非易失性存储技术，能够在系统断电时通过内置的 EEPROM 或铁电存储器自动保存数据，从而实现数据的持久化存储。
　　5M40ZE64C5N 提供高可靠性和快速访问速度，广泛应用于需要实时数据存储和断电保护的工业、通信和消费类电子产品中。

参数

类型：NVSRAM
　　容量：64K x 8 bits (64KB)
　　工作电压：1.7V 至 3.6V
　　接口类型：SPI
　　封装形式：TSSOP-8
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　数据保存时间：超过10年
　　写入耐久性：10万次擦写周期

特性

5M40ZE64C5N 具备以下显著特性：
　　1. 高速数据存取能力：支持高达 50MHz 的 SPI 时钟频率，确保实时应用中的高效性能。
　　2. 自动数据备份功能：在检测到电源故障时，芯片会自动将 SRAM 中的数据转移到非易失性存储单元，无需额外的控制逻辑。
　　3. 小型封装：采用 TSSOP-8 封装，节省电路板空间，适合紧凑型设计。
　　4. 宽电压范围：兼容多种供电环境，增强了系统的适应性。
　　5. 高可靠性：具备强大的抗干扰能力和长寿命的存储单元，非常适合关键任务应用。
　　6. 简化的系统设计：由于集成了 SRAM 和非易失性存储器，减少了对外部组件的需求，简化了硬件设计并降低了成本。

应用

这款芯片适用于多种场景，包括但不限于以下领域：
　　1. 工业控制：如 PLC、数据采集模块等，用于存储关键运行参数。
　　2. 消费电子：例如智能仪表、家用电器控制器，用以保存用户设置或设备状态。
　　3. 医疗设备：在断电情况下保留重要的患者信息或诊断数据。
　　4. 通信设备：路由器、交换机等网络设备中用作缓存或日志记录存储。
　　5. 汽车电子：动力系统、导航模块等需要稳定数据存储的场合。