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5M240ZT100I5N 发布时间 时间:2025/4/30 14:02:03 查看 阅读:5

5M240ZT100I5N 是一款由 VISHAY 公司生产的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 SiHF516N24ZT 系列。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术,具有低导通电阻和高效率的特点,非常适合用于高频开关应用和 DC-DC 转换器中。其封装形式为 Hotfnk PowerPAK? 8x8,有助于提高散热性能。

参数

最大漏源电压:240V
  连续漏极电流:10.3A
  导通电阻:90mΩ
  栅极电荷:27nC
  总电容:1120pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:PowerPAK 8x8

特性

5M240ZT100I5N 使用了 Vishay 的第三代 TrenchFET 技术,能够显著降低导通电阻和开关损耗。该器件的高雪崩击穿能量能力使其能够在恶劣环境下可靠运行。
  其超低的导通电阻和优化的栅极电荷设计使得它在高频开关应用中表现出色,同时其封装形式 PowerPAK 8x8 提供了出色的热性能和电气性能。
  此外,这款 MOSFET 支持高密度电路设计,并且符合 RoHS 标准,环保无铅。

应用

5M240ZT100I5N 广泛应用于各种需要高效功率转换的场景,包括但不限于:
  1. 开关电源 (SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动控制
  4. 工业逆变器
  5. LED 驱动器
  6. 笔记本电脑适配器
  7. 消费类电子产品的功率管理模块

替代型号

SiHF516N24ZT, IRFP240PBF, FDP18N24E

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5M240ZT100I5N参数

  • 产品培训模块Max V Overview
  • 特色产品MAX? V CPLDs
  • 标准包装90
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭嵌入式 - CPLD(复杂可编程逻辑器件)
  • 系列MAX® V
  • 可编程类型系统内可编程
  • 最大延迟时间 tpd(1)7.5ns
  • 电压电源 - 内部1.71 V ~ 1.89 V
  • 逻辑元件/逻辑块数目240
  • 宏单元数192
  • 门数-
  • 输入/输出数79
  • 工作温度-40°C ~ 100°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳100-TQFP
  • 供应商设备封装100-TQFP(14x14)
  • 包装托盘