时间：2025/12/24 0:05:59
阅读：16
5M160ZE64C5N 是一款由 Cypress Semiconductor（现为 Infineon Technologies）制造的高速静态随机存取存储器（SRAM）。该器件采用先进的 CMOS 工艺制造，具有低功耗和高可靠性的特点。它通常用于需要快速数据访问和稳定性能的应用场景，例如网络设备、工业控制和通信系统。
该芯片提供 16Mb 的存储容量，组织结构为 2,097,152 字 x 8 位。其工作电压范围为 1.7V 至 1.9V，适用于低功耗设计需求。
存储容量：16Mb
组织结构：2,097,152 x 8
工作电压：1.7V 至 1.9V
访问时间：5ns
封装类型：FBGA
I/O 电压：1.8V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
引脚数：100
5M160ZE64C5N 提供出色的性能和可靠性，支持高达 200MHz 的时钟频率。该器件具备自动省电模式，在未使用时可显著降低功耗。此外，它还支持同步突发模式，从而提高了数据传输效率。
该芯片具有单周期访问能力，能够在单个时钟周期内完成数据读写操作。其低延迟特性和高速运行能力使其非常适合实时应用环境。另外，该器件还集成了内置自刷新功能，简化了系统设计并增强了稳定性。
5M160ZE64C5N 广泛应用于需要高性能和低延迟的数据存储场景中，例如路由器、交换机和其他网络设备中的数据缓冲和临时存储。
此外，它也常用于工业自动化控制系统中的数据采集与处理模块，以及电信基础设施中的信号处理单元。由于其低功耗和高可靠性特点，该芯片同样适合便携式电子设备和嵌入式系统的缓存解决方案。
具体应用场景包括但不限于：
- 网络交换机和路由器的包缓冲区
- 实时信号处理平台的中间数据存储
- 工业控制设备中的程序缓存
- 医疗成像设备中的图像处理缓存
CY16B128M32JC, IS61WV102416BLL-10TL
