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5M160ZE64A5N 发布时间 时间:2025/5/10 12:11:59 查看 阅读:6

5M160ZE64A5N 是一款由三星(Samsung)生产的高速、低功耗 DDR5 SDRAM 内存芯片。该芯片专为满足高性能计算和数据中心应用的需求而设计,支持更高的数据传输速率和更低的能耗。DDR5 技术相比上一代 DDR4 提供了显著的性能改进,包括更高的密度、更快的速度以及更优的能效表现。
  这款内存芯片广泛应用于服务器、工作站以及其他需要大容量内存和高带宽的数据处理设备中。

参数

类型:DDR5 SDRAM
  容量:16Gb
  组织方式:x64
  核心电压:1.1V
  I/O 电压:1.1V
  速度:6400MT/s
  封装形式:FBGA
  引脚数:82-ball
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C

特性

5M160ZE64A5N 芯片采用了先进的 1αnm 制造工艺,提供更高的集成度和更低的功耗。其主要特性包括:
  1. 支持 DDR5 标准,数据传输速率高达 6400MT/s。
  2. 配备 On-die ECC 功能,可自动纠正单比特错误,提升数据可靠性。
  3. 内置温度传感器,便于系统监控和热管理。
  4. 支持深度省电模式,降低待机功耗。
  5. 具有更高的存储密度,单颗芯片即可实现大容量配置。
  6. 改进了信号完整性和抗噪能力,确保在高频率下的稳定运行。
  7. 符合 JEDEC DDR5 规范,具备广泛的兼容性。

应用

5M160ZE64A5N 主要用于以下领域:
  1. 企业级服务器和高性能计算平台。
  2. 数据中心存储解决方案。
  3. 工作站和图形处理单元(GPU)加速卡。
  4. 网络通信设备,如路由器和交换机。
  5. 人工智能和机器学习训练系统。
  6. 医疗成像和其他需要高带宽内存的应用场景。

替代型号

5M160ZE64A5M, 5M160ZE64A5P

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5M160ZE64A5N参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥58.83000托盘
  • 系列MAX? V
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • Digi-Key ProgrammableNot Verified
  • 可编程类型系统内可编程
  • 延迟时间 tpd(1) 最大值7.5 ns
  • 供电电压 - 内部1.71V ~ 1.89V
  • 逻辑元件/块数160
  • 宏单元数128
  • 栅极数-
  • I/O 数54
  • 工作温度-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳64-TQFP 裸露焊盘
  • 供应商器件封装64-EQFP(7x7)