5M160ZE64A5N 是一款由三星(Samsung)生产的高速、低功耗 DDR5 SDRAM 内存芯片。该芯片专为满足高性能计算和数据中心应用的需求而设计,支持更高的数据传输速率和更低的能耗。DDR5 技术相比上一代 DDR4 提供了显著的性能改进,包括更高的密度、更快的速度以及更优的能效表现。
这款内存芯片广泛应用于服务器、工作站以及其他需要大容量内存和高带宽的数据处理设备中。
类型:DDR5 SDRAM
容量:16Gb
组织方式:x64
核心电压:1.1V
I/O 电压:1.1V
速度:6400MT/s
封装形式:FBGA
引脚数:82-ball
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
5M160ZE64A5N 芯片采用了先进的 1αnm 制造工艺,提供更高的集成度和更低的功耗。其主要特性包括:
1. 支持 DDR5 标准,数据传输速率高达 6400MT/s。
2. 配备 On-die ECC 功能,可自动纠正单比特错误,提升数据可靠性。
3. 内置温度传感器,便于系统监控和热管理。
4. 支持深度省电模式,降低待机功耗。
5. 具有更高的存储密度,单颗芯片即可实现大容量配置。
6. 改进了信号完整性和抗噪能力,确保在高频率下的稳定运行。
7. 符合 JEDEC DDR5 规范,具备广泛的兼容性。
5M160ZE64A5N 主要用于以下领域:
1. 企业级服务器和高性能计算平台。
2. 数据中心存储解决方案。
3. 工作站和图形处理单元(GPU)加速卡。
4. 网络通信设备,如路由器和交换机。
5. 人工智能和机器学习训练系统。
6. 医疗成像和其他需要高带宽内存的应用场景。
5M160ZE64A5M, 5M160ZE64A5P