时间：2025/4/30 17:47:57
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5M1270ZT144I5N 是一款由三星（Samsung）生产的 NAND 闪存芯片，属于 3D V-NAND 系列。该型号采用先进的 TLC（Triple-Level Cell）技术，具有高密度存储和低功耗的特点，广泛应用于固态硬盘（SSD）、嵌入式存储设备以及移动设备等领域。
这款芯片基于三星的 64 层或更高层数的 3D V-NAND 技术制造，相比传统的平面 NAND 闪存，其在性能、可靠性和成本方面都有显著提升。
容量：128GB
接口类型：Toggle DDR 3.0
工作电压：1.8V
数据传输速率：533 MT/s
封装形式：BGA
I/O 引脚数：144
工艺制程：3D V-NAND (64层)
存储单元类型：TLC
5M1270ZT144I5N 的主要特性包括：
1. 高密度存储能力：单颗芯片即可提供 128GB 的存储容量，适合大容量存储需求的应用场景。
2. 高速数据传输：支持 Toggle DDR 3.0 接口协议，最高数据传输速率可达 533 MT/s，确保快速的数据读写性能。
3. 节能设计：采用低功耗架构，减少设备的整体能耗，特别适用于对功耗敏感的移动设备。
4. 可靠性与耐用性：得益于 3D V-NAND 技术，该芯片具备更高的擦写寿命和数据保持能力。
5. 小型化封装：使用 BGA 封装形式，节省 PCB 空间，便于在紧凑型设备中集成。
5M1270ZT144I5N 广泛应用于以下领域：
1. 固态硬盘（SSD）：作为 SSD 的核心存储组件，提供大容量和高性能的存储解决方案。
2. 嵌入式存储：用于嵌入式系统中的 eMMC 或 UFS 存储模块，满足工业控制、物联网设备等需求。
3. 移动设备：为智能手机、平板电脑等便携式电子设备提供可靠的存储支持。
4. 数据中心与服务器：在企业级存储系统中发挥重要作用，支持高吞吐量和低延迟的数据访问需求。
K9GMG0U1M, THGAMRDUDDC
