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5M1270ZT144C4N 发布时间 时间:2025/4/28 19:41:12 查看 阅读:2

5M1270ZT144C4N 是一款由 Micron(美光)生产的 NAND 闪存芯片,采用 MLC(多层单元)技术,广泛应用于嵌入式存储设备和工业级存储解决方案中。这款芯片以其高密度存储、低功耗和可靠性著称,适用于需要大容量数据存储的应用场景。

参数

容量:128Gb
  接口:Toggle DDR 2.0
  工作电压:1.8V
  封装形式:TSOP
  引脚数:144
  数据传输速率:最高 400MT/s
  擦写寿命:3000 次(MLC)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

5M1270ZT144C4N 具备高密度存储能力,单颗芯片即可提供 128Gb 的存储空间,适合大容量需求的场景。该芯片使用 Toggle DDR 2.0 接口,支持高速数据传输,其数据传输速率可达到 400MT/s,满足现代应用对速度的要求。
  此外,该芯片采用了 MLC 技术,在提供较高存储密度的同时保持了较低的成本。它还具有宽泛的工作温度范围(-40°C 至 +85°C),使其能够在各种严苛环境下稳定运行。
  低功耗设计也是该芯片的一大特点,特别适合移动设备和电池供电的应用场景。

应用

5M1270ZT144C4N 主要应用于固态硬盘(SSD)、嵌入式系统、工业控制设备、网络存储设备以及消费类电子产品中。例如,它可以作为 SSD 的核心存储介质,提供高性能的数据读写能力;也可以用于车载电子系统中,满足汽车环境下的可靠性和性能需求。

替代型号

5M1270ZT144C5N
  5M1270ZT144C6N

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5M1270ZT144C4N参数

  • 产品培训模块Max V Overview
  • 特色产品MAX? V CPLDs
  • 标准包装60
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭嵌入式 - CPLD(复杂可编程逻辑器件)
  • 系列MAX® V
  • 可编程类型系统内可编程
  • 最大延迟时间 tpd(1)6.2ns
  • 电压电源 - 内部1.71 V ~ 1.89 V
  • 逻辑元件/逻辑块数目1270
  • 宏单元数980
  • 门数-
  • 输入/输出数114
  • 工作温度0°C ~ 85°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳144-LQFP
  • 供应商设备封装144-TQFP(20x20)
  • 包装托盘