型号：5LN01C-TL-E
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：1.9A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：7.6A
　　导通电阻(RDS(on))：32mΩ @ VGS=4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：40mΩ @ VGS=2.5V
　　阈值电压(Vth)：0.6V ~ 1.0V
　　输入电容(Ciss)：330pF @ VDS=10V
　　输出电容(Coss)：120pF @ VDS=10V
　　反向恢复时间(trr)：18ns
　　工作温度范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：S-Mini3 (SOT-723)
　　安装类型：表面贴装

5LN01C-TL-E采用了ROHM专有的Trench MOS工艺，这种先进的制造技术显著降低了器件的导通电阻，同时提升了电流处理能力与开关速度。该MOSFET的低RDS(on)特性使其在低电压、大电流的应用场景中表现出色，例如在电池管理系统、负载开关或同步整流电路中能够有效减少功率损耗，提升系统能效。
　　器件的栅极电荷（Qg）非常低，典型值仅为4.5nC左右，这意味着驱动该MOSFET所需的能量极小，非常适合用于由逻辑IC或微控制器直接驱动的场合。此外，其较小的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）有助于减少高频工作时的动态损耗，从而支持更高频率的开关操作，有利于缩小外围元件如电感和电容的尺寸，进而实现整个电源系统的微型化。
　　5LN01C-TL-E具备良好的热性能，得益于其S-Mini3封装设计，具有较低的热阻（Rth(j-a)），可有效将芯片内部产生的热量传导至PCB，避免局部过热导致性能下降或失效。该器件还具备较强的抗雪崩能力和稳健的ESD保护特性，提高了在恶劣环境下的运行可靠性。
　　该MOSFET的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，可在高温工业环境中稳定运行。其阈值电压较低且一致性好，确保在低控制信号电压下仍能可靠导通，适用于3.3V甚至更低电压逻辑系统的接口驱动。此外，产品通过AEC-Q101车规级认证的可能性较高（需查证具体批次），因此也可拓展至汽车电子中的辅助电源管理领域。

5LN01C-TL-E主要用于对空间和效率要求较高的低压、小功率电源系统中。常见应用包括便携式电子设备中的电源开关与负载切换，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电池供电路径管理。
　　在DC-DC转换器拓扑中，尤其是同步降压（Buck）转换器中，该器件可用作同步整流管，利用其低导通电阻和快速响应特性来提高转换效率并减少发热。此外，它也适用于电压反转电路、电机驱动中的低端开关以及LED驱动电路中的开关控制元件。
　　由于其小型化封装和表面贴装特性，5LN01C-TL-E特别适合高度集成的模块化设计，例如电源管理单元（PMU）、PoE（Power over Ethernet）终端设备中的隔离开关、USB充电端口的限流与保护电路等。
　　在工业自动化领域，该MOSFET可用于传感器供电控制、继电器驱动缓冲级或PLC输入/输出模块中的固态开关。同时，因其具备良好的EMI性能和稳定的开关行为，也能满足通信设备中对噪声敏感应用场景的需求。

[
　　 "DMG2302U,M3",
　　 "AO2402",
　　 "SI2302DS",
　　 "FDC630P"
　　]