峰值脉冲电流Ipp：133A
　　反向关态电压Vrm：45V
　　钳位电压Vc：66.4V
　　击穿电压Vbr(min)：50V
　　击穿电压Vbr(max)：55.3V
　　功率耗散（峰值）：5000W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DO-201AE

5KP45A-G具有高能量吸收能力，可在极端电压瞬变情况下提供可靠保护。其响应时间极短，通常在皮秒级别，确保瞬态电压不会对敏感电路造成损害。该器件采用单向设计，适用于直流电路保护，具有良好的电压钳位性能。此外，5KP45A-G的封装结构坚固耐用，适合在工业和恶劣环境中使用。
　　该TVS二极管内部结构采用硅雪崩二极管技术，能够在不损坏器件的前提下承受多次高能冲击。其低漏电流设计在正常工作状态下对电路影响极小，同时确保在瞬态事件发生时能够迅速导通。DO-201AE封装形式提供了良好的散热性能，有助于提高器件的稳定性和寿命。
　　5KP45A-G还具有优良的热稳定性和机械强度，能够在高温和振动环境下保持稳定的电气性能。由于其高可靠性，该器件广泛应用于通信设备、工业控制、电源管理、汽车电子等领域。

5KP45A-G主要应用于需要高能量瞬态电压保护的电子系统中，如电源输入端、直流电机驱动电路、电池管理系统、通信接口（如RS-485、CAN总线）、工业自动化设备和汽车电子模块。在这些应用中，它可以有效抑制静电放电、电感负载引起的电压尖峰、雷击感应电压等瞬态干扰，从而提高系统稳定性和可靠性。
　　例如，在汽车电子系统中，5KP45A-G可用于保护ECU（电子控制单元）、车载充电器和传感器接口免受瞬态电压的影响。在工业设备中，它可作为电源和信号线路的保护器件，防止因开关操作或雷击引起的电压浪涌对设备造成损坏。此外，在通信设备中，该器件可用于保护通信端口，确保数据传输的稳定性和安全性。

1.5KE45A、5KP45CA-G、SMCJ45A、P6KE45、5KP45A