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5CEBA7F31C8N 发布时间 时间:2025/5/27 18:54:45 查看 阅读:12

5CEBA7F31C8N 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管,广泛应用于高频、高功率密度的开关电源和射频放大器设计中。该器件具有极低的导通电阻和快速的开关特性,能够显著提高系统效率并减少热量产生。
  该型号属于增强型 GaN 场效应晶体管系列,采用表面贴装封装形式,支持高频率操作的同时保持良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型:增强型场效应晶体管
  材料:氮化镓 (GaN)
  导通电阻:40 毫欧
  最大漏源电压:650V
  最大栅源电压:+6V/-10V
  连续漏极电流:12A
  输出电容:95pF
  反向传输电容:2.5pF
  最大工作结温:175°C
  封装形式:TO-252 表面贴装

特性

5CEBA7F31C8N 的主要特点是其高效的性能和强大的耐用性。它采用了先进的氮化镓技术,使其具备以下优势:
  1. 极低的导通电阻,可降低功耗,提升整体效率。
  2. 快速的开关速度,适合高频应用,例如无线充电设备、DC-DC 转换器等。
  3. 优秀的热性能,即使在高温环境下也能保持稳定的运行状态。
  4. 高击穿电压确保了器件能够在高压条件下安全工作。
  5. 小尺寸封装使其易于集成到紧凑型设计中。
  此外,该器件还拥有出色的动态特性和抗干扰能力,适用于要求严格的工业及汽车领域。

应用

5CEBA7F31C8N 广泛应用于多种电子系统中,包括但不限于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 无线充电模块
  4. 射频功率放大器
  5. 工业电机驱动
  6. 太阳能逆变器
  7. 电动汽车车载充电器
  其高效率和小尺寸的特点使其成为现代电力电子设备的理想选择。

替代型号

5CEBA7F31C6P, 5CEBA7F31C10N

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5CEBA7F31C8N参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥2,157.44000托盘
  • 系列Cyclone? V E
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • Digi-Key ProgrammableNot Verified
  • LAB/CLB 数56480
  • 逻辑元件/单元数149500
  • 总 RAM 位数7880704
  • I/O 数480
  • 栅极数-
  • 电压 - 供电1.07V ~ 1.13V
  • 安装类型表面贴装型
  • 工作温度0°C ~ 85°C(TJ)
  • 封装/外壳896-BGA
  • 供应商器件封装896-FBGA(31x31)