5CEBA7F31C8N 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管,广泛应用于高频、高功率密度的开关电源和射频放大器设计中。该器件具有极低的导通电阻和快速的开关特性,能够显著提高系统效率并减少热量产生。
该型号属于增强型 GaN 场效应晶体管系列,采用表面贴装封装形式,支持高频率操作的同时保持良好的热稳定性和可靠性。
类型:增强型场效应晶体管
材料:氮化镓 (GaN)
导通电阻:40 毫欧
最大漏源电压:650V
最大栅源电压:+6V/-10V
连续漏极电流:12A
输出电容:95pF
反向传输电容:2.5pF
最大工作结温:175°C
封装形式:TO-252 表面贴装
5CEBA7F31C8N 的主要特点是其高效的性能和强大的耐用性。它采用了先进的氮化镓技术,使其具备以下优势:
1. 极低的导通电阻,可降低功耗,提升整体效率。
2. 快速的开关速度,适合高频应用,例如无线充电设备、DC-DC 转换器等。
3. 优秀的热性能,即使在高温环境下也能保持稳定的运行状态。
4. 高击穿电压确保了器件能够在高压条件下安全工作。
5. 小尺寸封装使其易于集成到紧凑型设计中。
此外,该器件还拥有出色的动态特性和抗干扰能力,适用于要求严格的工业及汽车领域。
5CEBA7F31C8N 广泛应用于多种电子系统中,包括但不限于以下场景:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 无线充电模块
4. 射频功率放大器
5. 工业电机驱动
6. 太阳能逆变器
7. 电动汽车车载充电器
其高效率和小尺寸的特点使其成为现代电力电子设备的理想选择。
5CEBA7F31C6P, 5CEBA7F31C10N