时间：2025/5/7 13:08:54
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5AGXMB1G4F35C5N 是一款高性能的 NAND 闪存芯片，主要应用于需要大容量存储和高读写速度的场景。该芯片采用先进的制程工艺制造，具备低功耗和高可靠性的特点。其设计适用于消费电子、工业设备及嵌入式系统等应用领域。
类型：NAND Flash
容量：128Gb
接口：Toggle Mode 2.0
电压：1.8V
封装：BGA
工作温度范围：-25°C 至 +85°C
数据保留时间：10年
擦写寿命：3000次
5AGXMB1G4F35C5N 芯片具有以下关键特性：
1. 高密度存储：提供高达 128Gb 的存储容量，满足大容量数据存储需求。
2. 快速读写性能：支持 Toggle Mode 2.0 接口协议，实现高速数据传输。
3. 低功耗设计：优化的电路设计显著降低运行功耗，提升设备续航能力。
4. 高可靠性：通过严格的质量控制流程，确保在各种环境下的稳定性和耐用性。
5. 广泛的工作温度范围：能够在 -25°C 至 +85°C 的温度范围内正常工作，适合多种应用场景。
这款 NAND 闪存芯片适用于多种领域，包括但不限于：
1. 智能手机和平板电脑中的内部存储。
2. 固态硬盘（SSD）和其他嵌入式存储解决方案。
3. 工业自动化设备中的数据记录与存储。
4. 汽车电子系统中的导航和信息娱乐功能。
5. 物联网（IoT）设备的数据存储模块。
5AGXM9HC4F35C5N, 5AGXMB1G4F35A5N
