时间：2025/5/10 14:42:32
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5AGXFB7H4F35I5 是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式紧凑，适合高密度设计需求，同时具备良好的电气特性和可靠性。
型号：5AGXFB7H4F35I5
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：35A
导通电阻(Rds(on))：4mΩ
栅极电荷(Qg)：150nC
开关频率：高达1MHz
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55℃至+175℃
5AGXFB7H4F35I5 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低功率损耗。
2. 高开关速度，适用于高频应用场景。
3. 出色的热性能，确保在高温环境下稳定运行。
4. 高电流承载能力，支持大功率应用。
5. 封装紧凑且坚固，适合高密度和恶劣环境下的使用。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
7. 可靠性高，经过严格的质量测试和验证。
该芯片主要应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
2. 电动工具和家用电器的电机驱动电路。
3. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
4. 工业自动化设备中的直流-直流转换器。
5. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备。
6. 通信电源和不间断电源(UPS)系统。
IRFZ44N
STP36NF06
FDP5800
AO3400
