时间：2025/5/12 12:36:54
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5AGXBB7D4F40C5N 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高频率开关应用设计。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能。
该型号广泛应用于电源管理领域，如 DC-DC 转换器、LED 驱动器以及电机驱动等场景。其封装形式紧凑，适合高密度电路板布局需求。
型号：5AGXBB7D4F40C5N
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：12A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷（Qg）：30nC（典型值）
总功耗（Ptot）：220W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263（D2PAK）
1. 极低的导通电阻，有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关特性，支持高频工作环境，减少电磁干扰（EMI）。
3. 强大的散热能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。
4. 高可靠性和长寿命，适用于工业级及汽车级应用场景。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅焊接兼容。
6. 内置静电防护（ESD）设计，提高抗干扰能力。
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换模块。
2. DC-DC 转换器，用于电压调节和电源管理。
3. 电池管理系统（BMS），实现过流保护和均衡功能。
4. LED 驱动器，提供高效稳定的电流输出。
5. 电机驱动控制，支持正反转和调速操作。
6. 工业自动化设备中的功率级控制单元。
7. 汽车电子系统中的负载切换与保护电路。
IRFZ44N
FDP5800
STP12NM60
IXFN120N06T2
