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5AGXBB7D4F40C4N 发布时间 时间:2025/5/30 12:46:17 查看 阅读:5

5AGXBB7D4F40C4N 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率晶体管,适用于高频和高功率密度的应用场景。该型号采用了先进的封装技术以提高散热性能,并具备快速开关特性和低导通电阻。
  这款器件主要面向电源管理、通信基础设施、工业电源以及新能源领域,能够显著提升系统的能效和功率密度。

参数

额定电压:650V
  额定电流:12A
  导通电阻:40mΩ
  栅极电荷:35nC
  开关频率:最高可达5MHz
  工作温度范围:-40℃至+125℃
  封装形式:TO-247-4L

特性

5AGXBB7D4F40C4N 拥有卓越的电气性能,其核心优势包括:
  1. 高击穿电压和低导通电阻的组合,能够在降低功耗的同时保持高可靠性。
  2. 极低的栅极电荷使得开关损耗大幅减少,适合高频操作环境。
  3. 内置反向恢复二极管,优化了整体效率并减少了电磁干扰。
  4. 紧凑型封装设计提升了散热性能,支持更高的功率输出。
  5. 符合RoHS标准,环保且可靠。

应用

该型号广泛应用于多个领域,具体包括:
  1. 开关电源(SMPS):用于提升转换效率和减小体积。
  2. 光伏逆变器:实现高效的能量转换与管理。
  3. 电动车充电设施:提供快速充电解决方案。
  4. 工业电机驱动:增强动态响应能力并降低能耗。
  5. 通信基站电源:确保稳定供电并支持高密度部署。

替代型号

5AGXBB7D4F40C3M, 5AGXBB7D5F40C4N

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