时间：2025/5/13 9:30:35
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5AGXBB5D4F35C4N是一款高性能的MOSFET功率晶体管，主要用于开关和放大应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等优点。广泛适用于消费电子、工业控制以及通信设备中的电源管理模块。
其封装形式为TO-263，有助于提高散热性能，并且能够承受较高的电流和电压。此外，该型号符合RoHS标准，确保了环保要求。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：15A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：35nC
总功耗：75W
工作温度范围：-55℃至150℃
5AGXBB5D4F35C4N具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（4.5mΩ），可有效减少功率损耗，提升效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用场合。
3. 强大的电流承载能力（15A连续漏极电流），适用于大功率场景。
4. 热稳定性良好，在高温环境下仍能保持稳定运行。
5. 封装形式为TO-263，增强了散热效果，简化了PCB布局设计。
6. 符合RoHS标准，满足环保法规的要求。
该型号广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器中作为功率开关使用。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 汽车电子系统中的负载切换。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 各类消费类电子产品中的电源适配与调节功能。
5AGXBB5D4F35C3N, 5AGXBB5D4F35C5N
