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5AGXBB3D4F35C5N 发布时间 时间:2025/4/30 19:15:01 查看 阅读:17

5AGXBB3D4F35C5N 是一款高性能的功率MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  其封装形式为TO-220,适合高功率应用场合,并且具备良好的散热性能。

参数

型号:5AGXBB3D4F35C5N
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):40V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):35A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):160W
  结温范围(Tj):-55℃至+175℃
  封装:TO-220

特性

这款功率MOSFET具有以下几个主要特性:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),可有效降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 高速开关能力,支持高频操作,减少开关损耗。
  3. 优秀的热稳定性,能够在较宽的温度范围内可靠工作。
  4. 强大的电流承载能力,适用于高功率应用。
  5. 具备过流保护和短路耐受能力,增强了器件的鲁棒性。
  6. 封装设计优化了散热性能,便于集成到各类电力电子设备中。

应用

5AGXBB3D4F35C5N 可用于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电机驱动电路中的功率级元件。
  3. DC-DC转换器中的功率开关。
  4. 电池管理系统(BMS)中的负载切换开关。
  5. 各类工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 汽车电子领域中的直流电机控制与车载充电器应用。

替代型号

IRFZ44N
  STP36NF06
  FDP5800

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