时间：2025/4/30 19:15:01
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5AGXBB3D4F35C5N 是一款高性能的功率MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统的效率和可靠性。
其封装形式为TO-220，适合高功率应用场合，并且具备良好的散热性能。
型号：5AGXBB3D4F35C5N
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：40V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：35A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ（在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：160W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装：TO-220
这款功率MOSFET具有以下几个主要特性：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，可有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频操作，减少开关损耗。
3. 优秀的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠工作。
4. 强大的电流承载能力，适用于高功率应用。
5. 具备过流保护和短路耐受能力，增强了器件的鲁棒性。
6. 封装设计优化了散热性能，便于集成到各类电力电子设备中。
5AGXBB3D4F35C5N 可用于以下场景：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率级元件。
3. DC-DC转换器中的功率开关。
4. 电池管理系统(BMS)中的负载切换开关。
5. 各类工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子领域中的直流电机控制与车载充电器应用。
IRFZ44N
STP36NF06
FDP5800
