时间：2025/4/28 12:38:53
阅读：3
5AGTMD3G3F31I3N 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于各种高效能转换应用。
型号：5AGTMD3G3F31I3N
类型：MOSFET
封装：TO-247
Vds（漏源电压）：650V
Rds(on)（导通电阻）：35mΩ
Id（连续漏极电流）：50A
Vgs（栅源电压）：±20V
f（工作频率）：500kHz
Ptot（总功率耗散）：250W
结温范围：-55℃ 至 +175℃
5AGTMD3G3F31I3N 是一款为高效率和高可靠性设计的功率 MOSFET 晶体管。
它具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高击穿电压 Vds，能够承受高达 650V 的电压，适用于高压应用场景。
3. 快速开关能力，支持高达 500kHz 的开关频率，满足高频应用需求。
4. 出色的热性能，通过优化封装设计实现高效的散热管理。
5. 稳定的工作温度范围，能够在极端环境下可靠运行。
6. 小尺寸封装 TO-247 提供了良好的安装灵活性和散热性能。
这款功率 MOSFET 广泛用于多种电力电子领域，包括但不限于以下应用：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 逆变器和变频器中的功率级驱动元件。
3. 工业电机控制和驱动电路。
4. 太阳能逆变器中作为功率转换的关键组件。
5. 电动汽车充电设备中的功率开关。
6. LED 驱动器和其他需要高效功率转换的场合。
IRFP260N
STP50NF06
FDP58N65
