5962-9461109H9A 是一种军用规格的半导体存储器芯片,符合MIL-PRF-38535标准。该器件主要用于高可靠性应用场合,例如航空航天、军事通信和工业控制领域。它具备较高的抗辐射能力,并能在极端温度环境下稳定运行。
WS512K32-20G2Q 是一款商用级别的闪存芯片,具有大容量和快速读写性能的特点。其主要应用于消费类电子产品如固态硬盘(SSD)、USB闪存盘以及嵌入式系统中。
型号:5962-9461109H9A
类型:SRAM
存储容量:512K x 32
工作电压:5V
封装形式:Ceramic DIP
温度范围:-55°C to +125°C
型号:WS512K32-20G2Q
类型:NAND Flash
存储容量:512GB
接口:PCIe NVMe
传输速率:最高可达2000MB/s
工作电压:1.8V/3.3V
封装形式:BGA
温度范围:0°C to +70°C
5962-9461109H9A 具有极高的可靠性和抗恶劣环境的能力,适合在严苛条件下使用。其设计经过严格的测试以确保能够在高温、低温及振动等极端环境中正常工作。
WS512K32-20G2Q 提供了超大的存储空间与高效的读写速度,同时保持较低的功耗水平,非常适合需要高性能存储解决方案的应用场景。
两者都采用了先进的制造工艺,在各自的领域内展现了卓越的技术优势。
5962-9461109H9A 被广泛应用于军事雷达系统、卫星通信设备以及飞行器控制系统等对稳定性要求极高的场合。
WS512K32-20G2Q 则更多地用于高端消费类产品,包括游戏主机、视频编辑工作站以及云计算服务器等需要大量数据处理与存储的地方。
5962-9461109H9A 替代型号为5962-9461108H9A, WS512K32-20G2Q 替代型号为WS512K32-10G2Q