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57C291B-35T 发布时间 时间:2025/8/21 6:33:43 查看 阅读:13

57C291B-35T 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)生产的 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于高速异步 SRAM 系列,广泛用于需要高性能和低功耗的应用场合。该芯片采用标准的 32 引脚塑料封装(TSSOP),适用于工业级温度范围。其存储容量为 1K x 8 位,具有高速存取时间和低功耗特性,适用于嵌入式系统、通信设备、工业控制和网络设备等应用。

参数

容量:8Kbit(1K x 8)
  电压:5V
  访问时间:10ns
  封装:32-TSSOP
  温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  组织结构:1K x 8
  工作电流:180mA(最大)
  待机电流:10mA(典型)
  输入/输出电平:TTL/CMOS 兼容

特性

57C291B-35T 以其高性能和可靠性在 SRAM 市场中占据一席之地。其主要特性之一是其高速访问时间,为 10ns,这使得该芯片非常适合需要快速数据访问的应用,例如缓存、数据缓冲器和高速控制器。该芯片支持 TTL 和 CMOS 输入/输出电平,使其能够兼容多种数字系统架构。
  此外,该芯片采用 CMOS 技术制造,具有较低的功耗。在待机模式下,其典型电流仅为 10mA,这有助于延长设备的电池寿命或减少系统整体功耗。其最大工作电流为 180mA,适合在高频率下运行而不产生过多热量。
  57C291B-35T 的封装形式为 32 引脚 TSSOP,适合表面贴装工艺(SMT),并提供良好的热稳定性和机械可靠性。该封装也便于 PCB 布局和组装,适合大批量生产。该芯片的工作温度范围为工业级(-40°C 至 +85°C),可适应恶劣的工业环境。
  另外,该 SRAM 具有三态输出和片选控制功能,支持多个存储器设备共享数据总线,从而简化了系统设计。这种特性使得它非常适合用于需要多个存储器模块协同工作的复杂系统中。

应用

57C291B-35T SRAM 芯片广泛应用于多种嵌入式系统和工业设备中。其主要用途包括用作微控制器的高速缓存、数据缓冲器以及实时控制系统中的临时存储器。在通信设备中,该芯片可用于存储临时数据包或缓存协议处理信息,以提高系统响应速度。此外,它还可用于网络设备、测试仪器、医疗设备以及自动化控制系统中。
  由于其高速性能和低功耗特性,该芯片也常用于需要可靠存储和快速访问的便携式设备中。例如,在工业现场的智能传感器中,它可以用于存储实时采集的数据,确保数据在断电或系统重启时不会丢失。在航空航天和汽车电子领域,57C291B-35T 的工业级温度特性和高可靠性使其成为关键控制模块的理想选择。
  对于需要并行接口扩展的嵌入式系统,57C291B-35T 也是理想的外置存储器解决方案。它可以与 FPGA、DSP 或微处理器配合使用,作为高速临时存储空间,提高系统的整体性能。

替代型号

CY62148EV30LL-45BZS, IS61LV10248ALB45B, IDT71V124SA10PFG

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