品牌：Power Integrations
　　产品系列：InnoSwitch?3-Pro
　　拓扑结构：反激式
　　功率开关类型：PowiGaN? GaN MOSFET
　　最大耐压：750 V
　　输出功率范围：最高约100 W
　　工作频率：30 kHz 至 132 kHz（可调）
　　控制模式：准谐振（QR）/非连续导通模式（DCM）
　　封装类型：InSOP-24D（含散热焊盘）
　　隔离方式：FluxLink?磁感耦合通信技术
　　反馈方式：无光耦数字反馈
　　同步整流控制：支持次级侧SR驱动
　　能效等级：符合DoE Level VI和EU CoC Tier 2能效标准
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C（结温）
　　保护功能：过载保护、过压保护、过温保护、输入欠压/过压保护、短路保护

55P9108的核心特性之一是采用了Power Integrations独有的PowiGaN?技术，该技术利用氮化镓材料制造高压功率开关，相比传统的硅MOSFET，具有更低的Rds(on)和更优的开关性能，从而大幅降低了导通损耗和开关损耗。这使得电源设计可以在更高频率下运行，同时保持高效率，进而减小变压器和滤波元件的体积，实现更紧凑的电源适配器或电源模块。此外，由于GaN器件的高效性，减少了对散热器的需求，有助于降低系统成本和重量，特别适合便携式设备和空间受限的应用场景。
　　该芯片集成了初级侧PWM控制器、高压GaN开关、次级侧同步整流控制器以及基于FluxLink?的磁感应反馈技术，实现了真正的次级侧控制与初级侧驱动的无缝通信，无需使用光耦和TL431等传统反馈元件，不仅提升了系统的长期可靠性和抗干扰能力，还简化了PCB布局和元器件数量。这种高度集成的设计显著提高了电源的整体可靠性，尤其是在高温和高湿环境下，避免了光耦老化导致的性能下降问题。
　　55P9108支持多种工作模式，包括准谐振（QR）和非连续导通模式（DCM），可根据负载条件自动切换，以在整个负载范围内维持高效率。在轻载和空载条件下，芯片进入低功耗待机模式，静态功耗极低，满足全球最严格的节能标准，如美国能源部（DoE）Level VI和欧盟生态设计指令（ErP Lot 6）。
　　此外，器件内置了多重保护机制，包括输出过压保护（OVP）、过流保护（OCP）、过温保护（OTP）、输入欠压/过压锁定（UVLO/OVLO）以及输出短路保护。这些保护功能通过精确的监测和快速响应机制，确保电源在各种异常工况下仍能安全运行，防止损坏负载或引发安全隐患。所有保护功能均经过严格测试和验证，符合工业级和消费类产品的安全规范要求。

55P9108广泛应用于需要高效率、小尺寸和高可靠性的中低功率AC-DC电源系统中。典型应用场景包括智能手机、平板电脑和笔记本电脑的充电器，尤其是追求超薄设计和快充性能的USB-PD电源适配器。由于其高效的GaN技术和无光耦设计，非常适合用于墙插式电源、多口USB充电站以及智能家居设备的供电模块。此外，在工业领域，该芯片可用于PLC、传感器、工业网关和智能电表等需要长期稳定运行的嵌入式电源系统。在消费电子方面，也常见于电视机、机顶盒、路由器、音响系统和电动工具充电器等产品中。对于医疗设备中的辅助电源或低功率主电源，55P9108因其高隔离性和可靠性，也能满足相关安规要求。得益于其宽输入电压范围（通常支持85 VAC至265 VAC），该器件适用于全球通用输入的电源设计，无需额外的电压选择开关。同时，其出色的热性能和低EMI特性，使其在密闭空间或通风不良的环境中依然表现优异，是现代绿色电源设计的理想选择之一。

INN3986CQ