类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：55V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：80A
　　导通电阻 Rds(on)：最大 23mΩ（在 Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220FP 或 D2PAK（取决于具体型号变种）

55C80B MOSFET 的主要特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），通常在 23mΩ 左右，这有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。
　　该器件支持高达 80A 的连续漏极电流，适用于高功率负载的开关控制。
　　其最大漏源电压为 55V，适用于中压功率转换应用，例如汽车电子系统、电池管理系统、直流电机驱动和电源模块。
　　该 MOSFET 还具备良好的热稳定性和较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在恶劣工作条件下的可靠性和耐用性。
　　此外，55C80B 采用 TO-220FP 或 D2PAK 封装，具有良好的散热性能，便于在高功率应用中进行 PCB 安装与热管理。
　　其栅极驱动电压范围为 ±20V，通常在 10V 栅压下工作以实现最佳导通性能，兼容常见的 MOSFET 驱动 IC 和控制器。
　　由于其高性能参数和广泛适用性，55C80B 在工业、汽车和消费类电子领域得到了广泛应用。

55C80B 主要用于需要高效功率控制的场合，例如开关电源（SMPS）、DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池充电管理系统、UPS（不间断电源）、逆变器以及汽车电子控制系统等。
　　在汽车应用中，它可用于电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）和电池管理系统（BMS）等关键部件。
　　在工业自动化领域，55C80B 可用于伺服电机控制、PLC 输出开关和高频功率变换器等设备。
　　此外，它也适用于大功率 LED 驱动器、电源适配器和功率因数校正（PFC）电路等消费类电子产品中。
　　其高电流能力和低导通电阻使其成为需要高效、高可靠性的功率开关应用的理想选择。

STP80NF55-08, IRF1405, FDP80N55F, FQP80N55