类型：N沟道MOSFET
　　结构：双N沟道
　　漏源电压(Vds)：20V
　　栅源电压(Vgs)：±12V
　　连续漏极电流(Id)：4A（每个通道）
　　导通电阻(Rds(on))：0.065Ω @ Vgs=4.5V
　　功率耗散(Pd)：1.4W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：8-SOIC

5502-RC MOSFET芯片具有多项显著的技术特性，首先其双N沟道结构使其能够在单一封装中实现两个独立的MOSFET器件，极大地节省了PCB空间并简化了电路设计。每个通道的连续漏极电流可达4A，在4.5V栅极驱动电压下，其导通电阻仅为0.065Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　此外，该器件具有较低的栅极电荷（Qg），使其在高频开关应用中表现出色，适用于DC-DC转换器和同步整流等场合。5502-RC 的栅极驱动电压范围宽，支持3.3V至12V的逻辑电平驱动，兼容多种控制芯片和微处理器系统。
　　该MOSFET采用先进的沟槽式工艺制造，确保了优异的热稳定性和长期可靠性。其封装形式为8-SOIC，具有良好的热传导性能，适合表面贴装工艺（SMT），便于自动化生产与维护。
　　在保护方面，5502-RC具有良好的抗静电能力和热稳定性，能够承受一定的瞬态过载能力，适用于各种工业和汽车电子环境。

5502-RC MOSFET芯片适用于多种电源管理和控制应用。在电源管理方面，该器件常用于构建同步降压或升压转换器，用于便携式设备、笔记本电脑、移动电源等系统的电压调节。由于其双通道结构，可同时控制两个独立的负载，非常适合用于双路DC-DC转换器或负载开关设计。
　　在电机控制领域，5502-RC可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路，实现正反转控制与调速功能。此外，该器件也常用于LED背光驱动、电池充电与保护电路，以及智能电表和工业自动化设备中的电源开关控制。
　　在汽车电子中，5502-RC可用于车载娱乐系统、车灯控制模块、电动门窗控制单元等低功率应用场景。其宽工作温度范围和良好的热稳定性也使其适用于在较为恶劣的环境中运行的系统。

Si3442DV-T1-GE3, FDMS3602, FDC6302, NDS351AN, AO3400A