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54LS85DM 发布时间 时间:2025/12/29 15:24:34 查看 阅读:12

54LS85DM 是一种高速TTL逻辑集成电路,属于74系列中的比较器芯片。该芯片主要用于数字电路中的比较操作,能够比较两个4位二进制数或BCD码的大小,判断其是否相等、大于或小于。54LS85DM属于军用级器件,具有较高的可靠性和稳定性,适用于对性能要求较高的工业和军事应用。

参数

类型:TTL逻辑集成电路
  功能:4位比较器(可级联扩展)
  工作电压:4.75V 至 5.25V
  工作温度范围:-55°C 至 125°C(军用级)
  封装形式:16引脚 SOIC/DIP
  输出类型:集电极开路输出(OC)
  最大传播延迟:25ns(典型)
  功耗:约125mW

特性

54LS85DM的主要功能是执行两个4位数字输入的比较操作。它有三个输出端:A > B、A < B 和 A = B,用于指示两个输入之间的关系。该芯片的输入可以是二进制数或BCD码,因此在数字系统中具有广泛的应用。此外,54LS85DM支持级联扩展功能,通过级联多个芯片可以比较更长的数字位数。该芯片的高速特性使得其在需要快速响应的数字系统中表现优异。军用级的封装和温度适应性使其适用于极端环境条件下的应用。
  54LS85DM的工作电压范围较窄,为4.75V至5.25V,确保了TTL逻辑电平的兼容性。其传播延迟为25ns左右,适用于中高速数字电路设计。该芯片的封装形式通常为16引脚SOIC或DIP,便于在不同的电路板上进行安装和使用。由于其开路集电极输出设计,用户在使用时需要外接上拉电阻以确保输出电平的稳定。这种设计允许输出端连接在一起进行逻辑“与”操作,从而简化了多芯片级联的电路设计。
  从电气特性来看,54LS85DM在工作时的输入高电平(VIH)为2.0V至5.5V,输入低电平(VIL)为0V至0.8V。输出高阻态时的漏电流非常小,确保了电路的低功耗运行。此外,该芯片的输出驱动能力较强,能够驱动多个TTL输入负载。

应用

54LS85DM主要用于需要对两个4位数字进行比较的场合,例如计算机系统中的地址比较、数据比较、排序算法实现等。在工业控制系统中,它可以用于比较传感器数据、设定值与实际值之间的差异,从而进行相应的控制操作。在通信设备中,54LS85DM可用于数据包的优先级判断或地址匹配操作。此外,在数字仪表、测试设备、自动化控制系统中也有广泛的应用。由于其军用级的设计,54LS85DM特别适用于航空航天、国防电子系统等对可靠性和环境适应性要求较高的场合。

替代型号

74LS85N, 74HC688, CD4063

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