型号：54HCT132F
　　逻辑功能：四路2输入施密特触发NAND门
　　电源电压：4.5V ~ 5.5V
　　输入电平兼容：TTL兼容
　　输出类型：推挽输出
　　传播延迟时间（典型值）：10ns（@5V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装形式：CDIP14、Flatpack14
　　制造工艺：硅栅CMOS
　　低功耗静态电流：< 1μA（典型值）
　　最大输出电流：±6mA（高/低电平驱动能力）
　　施密特触发输入迟滞电压：约150mV至300mV（典型值）
　　逻辑电平阈值：VIH = 2.0V（最小），VIL = 0.8V（最大）

54HCT132F的核心特性之一是其集成的施密特触发器输入结构，每个NAND门的输入端都具备正反馈机制，从而形成输入电压的迟滞特性（hysteresis），有效提高了对噪声和干扰的抗扰度。当输入信号存在缓慢变化、波动或叠加噪声时，普通逻辑门可能在阈值附近反复翻转，导致输出产生多次不必要的跳变；而施密特触发器通过设置不同的上升和下降阈值电压，确保只有当输入信号真正越过高阈值时才触发状态转换，且必须下降到较低阈值以下才会再次翻转，这种双阈值机制显著增强了系统的稳定性与可靠性。该特性使得54HCT132F非常适合用于传感器信号调理、机械开关去抖、长线传输信号恢复等应用场合。
　　另一个关键特性是其高速CMOS工艺与TTL电平兼容性的结合。54HCT132F采用先进的硅栅CMOS制造技术，在保证高速性能的同时实现了极低的静态功耗，通常在待机状态下电流消耗低于1微安，远优于双极型TTL器件。同时，其输入引脚设计为兼容TTL逻辑电平（即输入高电平最低为2.0V，低电平最高为0.8V），可以直接连接到标准TTL输出而无需额外电平转换电路，极大简化了混合逻辑系统的设计复杂度。此外，该器件的输出驱动能力较强，可直接驱动多个标准TTL负载，在总线接口和驱动电路中表现出色。
　　54HCT132F还具备宽温域工作能力，符合54系列军用规格要求，可在极端温度条件下（-55°C至+125°C）稳定运行，适用于恶劣环境下的电子系统，如航空航天、雷达系统、舰载设备和高温工业控制器。其陶瓷封装不仅提供了良好的热稳定性，还具备优异的防潮、抗辐射和机械强度特性，进一步提升了器件的整体可靠性。此外，该器件具有高抗静电能力（ESD保护）和良好的闩锁免疫设计，避免因瞬态电压冲击导致损坏或功能异常。这些综合特性使54HCT132F成为高可靠性数字系统中实现信号整形、噪声过滤和逻辑组合的理想选择。

54HCT132F广泛应用于需要高可靠性与强抗干扰能力的军事、航空航天和工业控制领域。一个典型应用场景是在开关信号去抖电路中，机械式按钮或继电器触点在闭合或断开瞬间会产生多次快速弹跳，导致数字系统误判动作次数；利用54HCT132F的施密特触发输入特性，可以将这种不稳定的脉冲信号整形成干净的单次逻辑跳变，从而实现准确的状态识别。此外，该器件常用于模拟信号到数字系统的接口电路中，例如将缓慢变化的传感器输出（如温度、光强、压力等）转换为清晰的数字信号，配合RC网络构成单稳态或多谐振荡器，实现定时、延时或波形发生功能。
　　在通信系统中，54HCT132F可用于接收端信号的整形与再生，特别是在长距离传输后信号衰减严重的情况下，其施密特触发输入能有效恢复原始逻辑电平，防止误码发生。在数字控制系统中，它也常被用作时钟信号调理单元，确保进入计数器、寄存器或微处理器的时钟边沿清晰无抖动，提升系统同步精度。此外，该器件还可构建简单的振荡电路，作为低成本的时钟源使用，尤其适合对频率精度要求不高的嵌入式模块或辅助电路。
　　由于其军用级温度范围和陶瓷封装特性，54HCT132F在雷达信号处理模块、飞行控制系统、卫星电源管理单元、导弹制导电路等高安全等级系统中均有部署。在测试测量仪器中，该器件也被用于前端信号预处理模块，以提高数据采集的准确性与稳定性。总之，凡是需要在严苛环境下实现稳定逻辑判断、信号净化和噪声抑制的应用，54HCT132F都是一个值得信赖的选择。

SN54HCT132J
　　SN54HCT132W