型号：54HC125
　　类型：四路三态非反相缓冲器
　　电源电压范围：2V 至 6V
　　输出类型：三态
　　传播延迟时间（典型值）：10ns @ VCC=5V
　　静态电流（最大值）：80μA
　　输出驱动能力：±7.8mA @ VCC=4.5V
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　输入电压兼容性：TTL 兼容
　　封装形式：TSSOP、SOIC、DIP 等

54HC125的核心特性之一是其高速CMOS工艺带来的优异性能表现。该器件基于先进的硅栅CMOS技术，能够在保持极低静态功耗的同时实现接近LSTTL的传输速度。在5V电源供电条件下，其典型的传播延迟时间为10ns，这使得它非常适合用于高频时钟信号的缓冲和驱动。这种高速响应能力确保了在复杂的数字系统中信号能够快速、准确地传递，从而提升整体系统性能。
　　另一个关键特性是其三态输出结构。每个缓冲器的输出都可以通过独立的输出使能引脚（OE）控制进入高阻抗状态。当使能端为低电平时，输出有效；当为高电平时，输出呈现高阻态，不会影响总线上的其他信号源。这一特性使其非常适用于构建共享数据总线系统，例如微处理器系统中的地址或数据总线扩展，允许多个设备分时接入同一组线路而不会发生冲突。
　　54HC125还具备良好的电气兼容性。其输入端可以接受TTL电平信号，即使在较低的输入高电平（通常2V以上）也能可靠识别为逻辑高，因此可以直接与TTL逻辑器件接口而无需额外的电平转换电路。同时，其输出可在2V至6V范围内正常工作，支持多种电源电压配置，适合于混合电压系统中的电平适配应用。
　　该器件的工作温度范围宽达-55°C至+125°C，符合军用级标准，适用于极端环境下的电子系统，如航空航天、工业自动化和高温测试设备。相比商业级74HC系列，54HC系列更注重环境适应性和长期稳定性，常用于对可靠性要求极高的场合。
　　此外，54HC125具有高抗干扰能力和低噪声特性。CMOS结构本身具有较高的噪声容限（通常可达电源电压的30%以上），能有效防止因电磁干扰引起的误触发。内部设计还包括防闩锁（Latch-up）保护机制，提升了器件在瞬态电压波动下的鲁棒性。这些特性共同保证了在复杂电磁环境中依然稳定运行。

54HC125广泛应用于各类需要信号隔离、电平转换或总线管理的数字电路系统中。一个典型的应用场景是在微控制器或FPGA系统中作为数据总线缓冲器。当多个外设需要共享同一组数据线时，使用54HC125可以将各个设备的输出隔离，并通过控制使能端实现分时访问，避免总线争用问题。这种架构常见于早期的并行通信系统、存储器扩展模块以及工业控制背板总线设计中。
　　在电平转换应用中，54HC125也发挥着重要作用。由于其输入端兼容TTL电平且输出可在2V至6V范围内工作，因此可用于连接不同电压域的逻辑电路。例如，在3.3V MCU与5V外围设备之间进行信号传递时，54HC125可以在适当的电源配置下完成安全可靠的电平匹配，防止因电压不匹配导致的器件损坏或逻辑错误。
　　此外，该芯片常用于时钟信号的驱动与分配。在高速同步系统中，原始时钟信号可能因线路长度或负载过多而导致畸变或延迟增加。通过使用54HC125对时钟进行缓冲整形，可增强驱动能力并减少信号失真，提高系统的时序精度和稳定性。
　　在测试与测量设备中，54HC125也被用于构建可编程信号开关或测试点隔离电路。利用其三态输出功能，可以动态控制信号路径的通断，实现自动化的电路诊断与调试功能。
　　最后，在一些老旧系统维护或军工设备升级项目中，54HC125因其宽温特性和高可靠性，成为替代原有LSTTL缓冲器的理想选择。其低功耗和小封装版本也适合空间受限的便携式或嵌入式设备使用。

SN54HC125JG
　　SN54HC125W