54F38DMQB 时间：2025/4/3 9:58:10 阅读：3

54F38DMQB是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于高效率开关电源、电机驱动、逆变器等场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功耗并提升系统性能。
　　此芯片具有强大的电流处理能力和耐压能力，同时内置了多种保护功能以提高系统的稳定性和可靠性。

参数

类型：N-Channel MOSFET
　　耐压值：60V
　　最大持续漏极电流：120A
　　导通电阻：1.2mΩ
　　栅极电荷：75nC
　　总功耗：250W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：D2PAK（TO-263）

特性

1. 极低的导通电阻，能够减少导通损耗，提升整体效率。
　　2. 高速开关特性，适用于高频应用场景。
　　3. 大电流承载能力，适合高功率应用环境。
　　4. 内置过温保护和过流保护，增强了器件的可靠性。
　　5. 良好的热性能设计，确保在高温环境下仍能稳定运行。
　　6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。

应用

1. 开关电源（SMPS），如AC-DC适配器、工业电源等。
　　2. 电机驱动控制，例如电动车窗、座椅调节系统中的电机控制。
　　3. 不间断电源（UPS）和逆变器。
　　4. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
　　5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
　　6. 其他需要高效功率切换的应用场景。