型号：54153DM
　　系列：54系列（军用级）
　　逻辑功能：双2输入与非门（Dual 2-Input NAND Gate）
　　技术类型：硅栅CMOS
　　工作电压范围：2V 至 6V
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装类型：CDIP（Ceramic Dual In-line Package）
　　引脚数：14
　　输出驱动能力：标准CMOS/TTL兼容
　　传播延迟时间（典型值）：约25ns（在5V供电条件下）
　　静态功耗：极低（微安级）
　　输入电流：±1μA（最大）
　　输出高电平电压（VOH）：接近VDD（取决于负载）
　　输出低电平电压（VOL）：接近0V（取决于负载）
　　抗扰度：高噪声容限（通常为30%~70% VDD）

54153DM的核心特性之一是其卓越的环境适应性与可靠性。该器件专为军用和航空航天等极端应用环境设计，能够在-55°C至+125°C的超宽温度范围内稳定工作，确保在高低温交替、剧烈振动或高辐射环境下仍能保持逻辑功能的完整性。其陶瓷双列直插（CDIP）封装不仅提供了优异的热传导性能，还具备出色的气密性，有效防止湿气和污染物侵入，从而延长器件寿命并提升长期稳定性。
　　其次，54153DM采用了硅栅CMOS工艺，这使得它在保持高速响应的同时实现了极低的静态功耗。相比于传统的TTL逻辑器件，CMOS技术显著降低了待机状态下的电流消耗，非常适合用于电池供电或对能耗敏感的系统中。此外，该器件具有高噪声抑制能力，输入端具备较高的噪声容限，能够在电磁干扰较强的工业环境中可靠运行，减少误触发风险。
　　另一个重要特性是其逻辑兼容性。54153DM的输入和输出电平均与标准TTL电平兼容，允许其无缝集成到包含TTL和其他CMOS器件的混合逻辑系统中。这种互操作性简化了系统设计，减少了电平转换电路的需求，提高了整体系统的集成度和可靠性。同时，其传播延迟时间较短，在5V电源下典型值约为25ns，能够满足大多数中高速数字逻辑处理需求。
　　最后，作为军用规格产品，54153DM经过严格的筛选和测试流程，包括温度循环、恒定加速度、密封性测试等，确保每一片出厂芯片都符合MIL-STD-883标准。这一认证体系保证了器件在关键任务系统中的高可用性和长寿命，广泛应用于雷达系统、飞行控制计算机、卫星通信设备等领域。

54153DM主要应用于对环境适应性和系统可靠性要求极高的领域。在军事电子系统中，该器件常被用于战术通信设备、导弹制导系统、战场数据链路控制器以及军用雷达信号处理模块中，作为基本的逻辑控制单元执行信号整形、地址译码或时序控制功能。由于其能够在极端温度和强电磁干扰环境下稳定运行，因此特别适合部署在野外作战平台或高空飞行器上。
　　在航空航天领域，54153DM被广泛应用于卫星姿态控制系统、航天器电源管理逻辑电路、遥测数据编码器以及火箭发动机点火控制单元。这些应用场景对元器件的寿命、抗辐射能力和长期稳定性有极高要求，而54153DM凭借其陶瓷封装和军规级制造标准，能够有效抵御宇宙射线、真空环境和热循环带来的影响，保障航天任务的成功执行。
　　此外，在高端工业控制系统中，如石油钻探设备、核电站安全监控系统和高速列车信号联锁装置，54153DM也发挥着重要作用。它可用于构建冗余逻辑判断电路、故障检测模块或紧急停机控制路径，确保在异常情况下系统仍能做出正确响应。其低功耗特性也有助于减少系统发热量，提高密集布板情况下的散热效率。
　　科研实验装置中同样可见其身影，例如粒子加速器的触发控制系统、深海探测器的数据预处理模块等，都需要使用像54153DM这样兼具高性能与高可靠性的逻辑器件来支撑复杂运算和精确时序控制。总之，凡是涉及生命安全、国家安全或不可中断运行的关键系统，都是54153DM的理想应用场域。

SN54LS153J
　　SN54S153J
　　SN54F153J