电容值：820pF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V
　　温度系数：NP0（C0G）
　　封装类型：径向引线（Radial）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　介质材料：陶瓷（NP0/C0G）
　　尺寸：5.08mm x 5.08mm（0.2in x 0.2in）
　　引线间距：2.54mm（0.1in）

53D821K 是一款高性能的多层陶瓷电容器，采用 NP0（C0G）介质材料，具有非常稳定的温度特性和极低的介电吸收。其容值在工作温度范围内保持恒定，不会因温度变化而发生显著偏移。此外，该电容器具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），适合在高频电路中使用，以提供出色的滤波和去耦性能。53D821K 的封装形式为径向引线，便于手工焊接和安装，适用于通孔（THT）安装工艺。
　　这款电容器的额定电压为 50V，能够承受一定范围的电压波动，确保在多种工作条件下的稳定性。由于其优异的电气性能和可靠性，53D821K 被广泛用于通信设备、工业控制系统、电源管理电路以及测试测量仪器中。其陶瓷介质 NP0（C0G）也使得该电容器在高频下具有良好的 Q 值，适合用于射频（RF）和微波电路中的滤波和调谐应用。

53D821K 主要用于对电容稳定性要求较高的电路中，如射频（RF）滤波器、振荡器、放大器、定时电路和旁路电容。由于其优异的温度稳定性和高频特性，该电容器常用于通信设备、雷达系统、测试仪器、医疗电子设备以及高精度工业控制系统中。此外，它也适用于电源去耦和噪声抑制电路，以提高系统的整体性能和稳定性。

53D821K 可以被以下型号替代：Vishay 的 53D820K（82pF，±10%，50V）或 53D821J（820pF，±5%，50V），以及 Kemet 的 C0805C820J5GAC 或 AVX 的 943C821K50V。