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514CBB000110BAG 发布时间 时间:2025/8/21 12:26:41 查看 阅读:23

514CBB000110BAG是一款高性能的射频(RF)功率晶体管,专为高频率和高功率应用设计。该器件采用先进的硅双极技术制造,适用于无线基础设施、广播、工业加热和医疗设备等多种高功率射频系统。该晶体管具有优异的热稳定性和可靠性,能够在苛刻的环境下长期运行。

参数

类型:射频功率晶体管
  晶体管类型:NPN双极型
  最大工作频率:1 GHz
  最大集电极电流:10 A
  最大集电极-发射极电压:65 V
  最大功耗:300 W
  封装类型:金属封装
  增益:25 dB(典型值)
  输出功率:100 W(典型值)
  工作温度范围:-65°C 至 +150°C

特性

514CBB000110BAG具有多个关键特性,使其在射频功率放大应用中表现出色。首先,该晶体管的高输出功率能力使其适用于需要高能量输出的系统,如通信基站和射频加热设备。其次,其宽频率响应范围支持从低频到高频的广泛应用。此外,该器件具有良好的线性度和低失真特性,使其在需要高信号保真度的应用中表现优异。
  该晶体管还具备优异的热管理和可靠性设计,采用高导热金属封装,有助于快速散热并维持稳定的运行温度。其高击穿电压特性确保了在高压环境下的稳定运行,同时提高了器件的耐用性。最后,该晶体管具有良好的匹配能力,能够与多种射频电路设计兼容,简化了系统集成和优化。

应用

514CBB000110BAG广泛应用于多个高性能射频系统中。其主要应用包括蜂窝通信基站的功率放大器模块、射频测试设备、广播发射机、工业射频加热系统以及医疗成像设备中的射频源模块。由于其高可靠性和高功率处理能力,该器件也适用于军事通信和雷达系统中的关键射频放大环节。

替代型号

MRF6VP2025N, 2SC2879, 2SC1969A, BLF278, RD16HHF1

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514CBB000110BAG参数

  • 现有数量0现货
  • 价格200 : ¥71.83095带
  • 系列Si514
  • 包装
  • 产品状态在售
  • 基本谐振器晶体
  • 类型XO(标准)
  • 频率74.25 MHz
  • 功能启用/禁用(可编程)
  • 输出CMOS
  • 电压 - 供电3.3V
  • 频率稳定性±25ppm
  • 绝对牵引范围 (APR)-
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 扩频带宽-
  • 电流 - 供电(最大值)26mA
  • 等级-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳6-SMD,无引线
  • 大小 / 尺寸0.197" 长 x 0.126" 宽(5.00mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-