514CBB000110BAG是一款高性能的射频(RF)功率晶体管,专为高频率和高功率应用设计。该器件采用先进的硅双极技术制造,适用于无线基础设施、广播、工业加热和医疗设备等多种高功率射频系统。该晶体管具有优异的热稳定性和可靠性,能够在苛刻的环境下长期运行。
类型:射频功率晶体管
晶体管类型:NPN双极型
最大工作频率:1 GHz
最大集电极电流:10 A
最大集电极-发射极电压:65 V
最大功耗:300 W
封装类型:金属封装
增益:25 dB(典型值)
输出功率:100 W(典型值)
工作温度范围:-65°C 至 +150°C
514CBB000110BAG具有多个关键特性,使其在射频功率放大应用中表现出色。首先,该晶体管的高输出功率能力使其适用于需要高能量输出的系统,如通信基站和射频加热设备。其次,其宽频率响应范围支持从低频到高频的广泛应用。此外,该器件具有良好的线性度和低失真特性,使其在需要高信号保真度的应用中表现优异。
该晶体管还具备优异的热管理和可靠性设计,采用高导热金属封装,有助于快速散热并维持稳定的运行温度。其高击穿电压特性确保了在高压环境下的稳定运行,同时提高了器件的耐用性。最后,该晶体管具有良好的匹配能力,能够与多种射频电路设计兼容,简化了系统集成和优化。
514CBB000110BAG广泛应用于多个高性能射频系统中。其主要应用包括蜂窝通信基站的功率放大器模块、射频测试设备、广播发射机、工业射频加热系统以及医疗成像设备中的射频源模块。由于其高可靠性和高功率处理能力,该器件也适用于军事通信和雷达系统中的关键射频放大环节。
MRF6VP2025N, 2SC2879, 2SC1969A, BLF278, RD16HHF1