类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：100V
　　漏极-栅极电压（Vdg）：100V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：50A
　　导通电阻（Rds(on)）：16mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：250W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装：TO-247

50YXG1000M16X25 MOSFET 具备多项显著特性，使其在功率电子应用中表现优异。首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为16mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。在高电流负载条件下，低Rds(on)意味着更少的热量产生，从而减少了对散热器或其他热管理方案的依赖。
　　其次，该器件的漏极-源极电压额定值为100V，连续漏极电流额定值为50A，能够支持高功率应用场景，如DC-DC转换器、同步整流器和电机控制系统。此外，该MOSFET的栅极驱动电压为10V时即可达到最佳导通状态，兼容标准的MOSFET驱动电路，简化了设计和实现。
　　该MOSFET采用TO-247封装形式，具备良好的热管理和机械稳定性，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子系统。其工作温度范围为-55°C至175°C，确保在极端环境条件下仍能稳定运行。此外，该器件具有较高的短路耐受能力，能够在突发的过载或短路情况下提供一定的保护能力，从而增强系统的稳定性。
　　值得一提的是，50YXG1000M16X25 还具备较低的开关损耗，得益于其优化的内部结构设计和沟槽式技术，这使其在高频开关应用中表现出色。低开关损耗不仅提升了转换效率，还减少了对额外散热措施的需求，从而降低了整体系统成本。该MOSFET的高功率耗散能力（250W）也使其能够在高负载环境下长时间运行而不出现性能下降。

50YXG1000M16X25 MOSFET 广泛应用于多种高功率电子设备和系统中。其中，主要的应用领域包括电源转换器（如DC-DC降压/升压转换器、AC-DC电源模块）、电机驱动器（如电动工具、工业自动化设备）、负载开关（如电源管理系统和电池保护电路）以及可再生能源系统（如太阳能逆变器和储能系统）。
　　在电源管理方面，该器件能够有效提升转换效率，减少热量产生，从而延长设备的使用寿命。在电动汽车和混合动力汽车中，该MOSFET可用于电池管理系统（BMS）、车载充电器和电机控制器，确保高效率和高可靠性的运行。此外，由于其良好的热管理和高耐压能力，该器件也常用于工业自动化设备中的高功率负载控制，如伺服电机、电磁阀和高功率LED照明系统。
　　在高频开关应用中，如开关电源（SMPS）和同步整流器，该MOSFET的低导通电阻和快速开关特性可显著降低损耗，提高整体系统效率。同时，其优异的短路保护能力和热稳定性使其成为需要高可靠性和安全性的工业和汽车电子产品的理想选择。

SiHF50N100D, IXFH50N100P, STP55N10M5, FQA50N100L