50WQ10FN 时间：2025/10/28 9:31:19 阅读：13

50WQ10FN是一款由Vishay Semiconductor生产的表面贴装肖特基势垒整流二极管，采用高效能的PowerPAK封装技术。该器件专为高电流、低压降应用而设计，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、逆变器以及各种需要高效整流功能的电子系统中。50WQ10FN的核心优势在于其低正向电压降（VF）和高浪涌电流承受能力，使其在大功率应用场景下仍能保持良好的热稳定性和效率表现。该器件无铅且符合RoHS环保标准，适用于自动化表面贴装生产线，具有优异的焊接可靠性和机械强度。
　　该二极管结构基于先进的平面工艺制造，具备优良的开关特性，能够有效减少开关损耗，提升整体系统效率。其反向击穿电压额定值为100V，确保在典型工业和消费类电源环境中具备足够的安全裕度。此外，PowerPAK封装提供了比传统封装更优的散热性能，有助于延长器件寿命并提高系统可靠性。50WQ10FN常用于笔记本电脑电源模块、服务器电源单元、LED驱动电源以及太阳能逆变器等对能效要求较高的设备中。

参数

类型：肖特基势垒二极管
　　封装/外壳：PowerPAK 8x8
　　是否无铅：是
　　是否符合RoHS：是
　　最大重复反向电压（VRRM）：100 V
　　最大直流阻断电压（VR）：100 V
　　最大正向平均整流电流（IF(AV)）：50 A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：200 A
　　最大正向电压降（VF @ IF）：0.61 V @ 25 A, TJ = 125°C
　　最大反向漏电流（IR）：1 mA @ 100 V, TJ = 125°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +175°C
　　热阻（RθJA）：1.5 °C/W（典型值，依赖PCB布局）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

特性

50WQ10FN的核心特性之一是其卓越的低正向电压降性能，在25A电流和125°C结温条件下，最大VF仅为0.61V，显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。这一特性对于高电流密度设计尤为重要，尤其是在便携式设备和数据中心电源中，能有效减少发热并提升能量利用率。该器件采用双通道并联配置的内部结构，使得单个封装可承载高达50A的连续正向电流，同时保持均匀的电流分布和温度场，避免局部过热问题。
　　另一个关键特性是其出色的热管理能力。PowerPAK 8x8封装采用底部裸露焊盘设计，能够直接将热量传导至PCB上的大面积铜箔或散热层，实现高效的热耗散。相比传统的TO-220或D2PAK封装，PowerPAK在相同电流输出下体积更小，节省宝贵的PCB空间，同时提供更优的热阻表现。测试数据显示，在标准4层JEDEC PCB板上，其RθJA可低至1.5°C/W，极大增强了高温环境下的运行稳定性。
　　50WQ10FN还具备优异的抗浪涌能力，可承受高达200A的峰值非重复浪涌电流（半正弦波，8.3ms），这使其在面对输入电压突变、启动冲击或负载切换等瞬态工况时依然保持可靠运行。此外，其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）支持极端环境应用，如汽车电子、工业控制和户外电源设备。器件的反向恢复时间极短，几乎无反向恢复电荷（Qrr），因此在高频开关电路中不会产生明显的开关噪声或电磁干扰（EMI），有助于简化滤波设计并提升系统EMC性能。

应用

50WQ10FN广泛应用于各类高效率电源转换系统中，特别是在需要大电流、低压降整流功能的场合。其典型应用场景包括同步整流型DC-DC降压变换器，用于服务器CPU供电、图形处理器（GPU）核心电源以及高端主板VRM模块中，作为下管或续流二极管使用，以替代传统MOSFET体二极管，从而降低导通损耗并提升动态响应速度。
　　在通信电源和基站设备中，50WQ10FN可用于一次侧或二次侧整流电路，满足高可用性与长期稳定运行的需求。在太阳能光伏逆变器系统中，该器件可用于防反接保护电路或MPPT跟踪模块中的快速整流路径，利用其低VF和高浪涌能力应对光照突变引起的电流波动。
　　此外，它也常见于电动工具充电器、UPS不间断电源、LED恒流驱动电源以及工业电机驱动器的辅助电源部分。由于其表面贴装特性，特别适合自动化回流焊生产工艺，广泛用于批量制造的消费类电子产品和工业设备中。在汽车电子领域，尽管不属于AEC-Q101认证器件，但在某些非车载动力系统的辅助电源模块中也有应用案例，例如车载信息娱乐系统电源或外部充电模块。