类型：功率MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大漏极电流（Id）：30A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值约0.15Ω（具体值视具体厂家而定）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
　　最大功耗（Pd）：150W
　　封装类型：TO-247或类似高功率封装
　　工作温度范围：-55°C至+175°C

50VXR3900M30X30 具备多个关键特性，使其在高性能电源系统中表现出色。首先，其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高能效，尤其在大电流工作条件下更为明显。其次，该MOSFET具有较高的热稳定性和抗冲击能力，能够承受瞬时过载和高温环境，确保系统运行的可靠性。此外，该器件的栅极驱动特性优化，使其在高频开关应用中具有较低的开关损耗，适用于高频率DC-DC转换器和逆变器设计。50VXR3900M30X30还具备良好的短路耐受能力，有助于提升系统的安全性和稳定性。其封装设计提供了良好的散热性能，能够有效降低工作温度，延长器件寿命。最后，该MOSFET的电气参数经过严格筛选，确保在各种复杂工况下保持一致性和稳定性，适用于工业级和汽车级应用需求。

50VXR3900M30X30 广泛应用于多种高功率电子系统和设备中。首先，在开关电源（SMPS）领域，该MOSFET用于主开关或同步整流器，提供高效的能量转换。其次，在DC-DC转换器中，它用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，适用于服务器电源、电信设备和工业控制系统的电源模块。此外，该器件还用于电机控制和驱动电路，如电动工具、工业电机和电动汽车的电机控制器中。在电池管理系统（BMS）中，50VXR3900M30X30可用于电池充放电控制和负载开关，确保电池组的安全运行。同时，它也适用于UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和储能系统等新能源应用领域。由于其高可靠性和优异的热性能，该MOSFET也适用于汽车电子、智能电网设备和工业自动化控制系统中的功率开关和保护电路。

IXFH30N50P、STF30N50M2、FDPF30N50、TK30A50W、SiHP055N50L