时间：2025/9/8 11:46:09
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50VXG5600M30X35是一种高压功率MOSFET，设计用于高效率的电源转换和功率控制应用。该器件具有高击穿电压能力、低导通电阻以及快速开关特性，适用于需要高可靠性和高性能的工业和消费类电子产品。其封装设计优化了散热性能，能够在高电流条件下保持稳定工作。
类型：功率MOSFET
最大漏源电压(Vds)：500V
最大栅源电压(Vgs)：±30V
最大漏极电流(Id)：600A
导通电阻(Rds(on))：3.0mΩ
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-264
功率耗散(Pd)：500W
漏极电容(Coss)：5600pF
栅极电荷(Qg)：35nC
50VXG5600M30X35具备极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低导通损耗并提高系统效率。该器件的高击穿电压能力使其能够可靠地工作在高压环境中，适用于如电源供应器、电机控制、DC-DC转换器和不间断电源（UPS）系统等应用。此外，其高栅极电荷（Qg）特性优化了开关性能，有助于减少开关损耗。
该MOSFET的封装设计采用了先进的热管理技术，确保在高电流和高功率条件下仍能保持良好的散热效果。其结构设计也优化了电磁干扰（EMI）性能，有助于减少高频开关过程中的噪声。此外，该器件的可靠性经过严格测试，适用于对稳定性和耐久性有高要求的应用场景。
50VXG5600M30X35广泛应用于各类高功率电子系统，包括工业级电源供应器、电动车辆充电系统、太阳能逆变器、电机驱动器、不间断电源（UPS）以及大功率DC-AC转换器。其高压、高电流和低导通电阻特性使其成为高效率功率转换和控制应用的理想选择。此外，它也适用于需要高可靠性的消费类电子产品，例如高性能电源适配器和LED照明系统。
IXFN600N50X2, STY60N50DM2AG, IRGP50B60PD1STRLPBF
