时间：2025/6/6 18:58:25
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50SVT39M是一种高性能的N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等需要高效功率转换的场景中。该器件采用先进的硅工艺制造，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：48A
导通电阻：1.2mΩ
总功耗：175W
结温范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-247
50SVT39M具有非常低的导通电阻，这有助于减少在高电流应用中的传导损耗。同时，其出色的热性能和坚固的设计使其能够在严苛的工作条件下稳定运行。此外，该器件还具备优秀的开关性能，适合高频应用环境。
由于采用了改进的芯片结构设计，50SVT39M可以提供更高的电流密度和更低的栅极电荷，从而进一步优化了系统的整体效率。对于需要高效能和高可靠性的电路设计而言，这是一个非常理想的选择。
50SVT39M主要应用于直流-直流转换器、开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动车辆驱动系统以及工业自动化设备等领域。它非常适合需要处理大电流且要求高效率和散热良好的场合。此外，在电信基础设施和消费类电子产品中也常能看到它的身影。
IRF540N
STP55NF06
FDP55N06L
