50SQ060 时间：2025/12/26 20:23:04 阅读：14

50SQ060是一款由ONSEMI（安森美）公司生产的肖特基势垒二极管阵列，常用于高效率、低压降的整流和续流应用。该器件采用双共阴极配置，即内部包含两个阳极共享一个阴极的肖特基二极管，适用于同步整流、DC-DC转换器、开关电源以及反向电压保护等电路中。50SQ060以其低正向压降、快速开关特性及良好的热稳定性而著称，适合在要求高能效和紧凑设计的电源系统中使用。其封装形式为D2PAK（TO-263），具备优良的散热性能，能够支持较高的持续电流输出，在工业控制、消费电子、通信设备等领域有广泛应用。
　　该器件的最大重复峰值反向电压（VRRM）为60V，典型正向压降（VF）在额定电流下约为0.57V，表现出优异的导通效率。由于采用肖特基技术，50SQ060无反向恢复电荷（Qrr），因此在高频开关应用中可显著降低开关损耗，提升整体系统效率。此外，该产品符合RoHS环保标准，并具备可靠的抗浪涌能力和高温工作能力，能够在恶劣环境下稳定运行。

参数

型号：50SQ060
　　类型：肖特基势垒二极管阵列
　　配置：双共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：60V
　　最大有效值电压（VRMS）：42V
　　最大直流阻断电压（VDC）：60V
　　最大正向整流电流（IF(AV)）：50A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：200A
　　正向压降（VF）@ 25℃：≤0.57V（典型值），≤0.65V（最大值）@ 25A
　　反向漏电流（IR）：≤1.0mA @ 60V, 25℃
　　工作结温范围（TJ）：-65℃ ~ +175℃
　　存储温度范围（TSTG）：-65℃ ~ +175℃
　　封装形式：D2PAK (TO-263)
　　安装方式：表面贴装

特性

50SQ060的核心优势在于其采用先进的肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降与零反向恢复电荷的结合，这使得它在高频率开关电源中表现尤为出色。在典型工作条件下，其正向压降仅为0.57V左右，远低于传统PN结二极管，从而大幅减少了导通损耗，提升了电源转换效率。由于没有少数载流子存储效应，该器件在关断过程中不会产生反向恢复电流，避免了由此引发的电压尖峰和电磁干扰问题，有利于简化EMI滤波设计并提高系统可靠性。
　　该器件具有高达50A的平均整流电流能力，并可在短时间内承受200A的非重复浪涌电流，展现出强大的过载承受能力，适用于可能出现瞬态大电流的应用场景，如电机驱动或电源启动过程中的冲击电流抑制。其D2PAK封装不仅提供了良好的机械稳定性，还通过大面积金属焊盘实现高效热传导，配合PCB上的散热焊盘可将结温有效控制在安全范围内，确保长期稳定运行。
　　50SQ060的工作结温范围宽达-65℃至+175℃，表明其具备出色的高低温适应能力，适合在极端环境温度下工作的工业和汽车级应用。同时，器件经过优化设计，具有较低的热阻（RθJC），进一步增强了散热性能。其反向漏电流在常温下小于1mA，在高温环境下也保持在可控水平，避免因漏电增加而导致功耗上升或热失控风险。整体结构坚固，符合JEDEC标准的表面贴装封装便于自动化生产，提升了制造效率与一致性。

应用

50SQ060广泛应用于各类需要高效能量转换的电力电子系统中。在DC-DC转换器中，特别是低压大电流输出的同步整流拓扑中，常被用作续流二极管或整流元件，以替代传统MOSFET体二极管，减少导通损耗并提高效率。在开关模式电源（SMPS）中，无论是AC-DC还是DC-DC架构，该器件都能发挥其快速响应和低损耗的优势，适用于笔记本电脑适配器、服务器电源、LED驱动电源等对能效要求较高的场合。
　　在太阳能逆变器和电池管理系统中，50SQ060可用于防止电流倒灌和实现功率路径管理，保障系统的安全性与稳定性。此外，在电机驱动电路中，该器件常作为钳位二极管使用，吸收感性负载断开时产生的反电动势，保护主控开关器件免受高压击穿。
　　由于其高电流承载能力和良好的热性能，50SQ060也适用于汽车电子领域，如车载充电机（OBC）、DC-DC变换器和启停系统等，在这些环境中需面对振动、温度波动和电气噪声等挑战，该器件仍能保持可靠工作。同时，其符合RoHS指令的环保特性使其满足现代电子产品对绿色制造的要求，适用于消费类电子产品的大规模量产。