50PGV3 时间：2025/4/30 9:55:52 阅读：3

50PGV3是一款高性能的功率场效应晶体管（Power MOSFET），适用于高效率电源转换和电机驱动等应用。该器件采用先进的沟槽式结构，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效减少功率损耗并提升系统性能。
　　50PGV3通常被设计用于DC-DC转换器、AC-DC适配器、LED驱动器以及各类工业控制场景中。其封装形式为TO-220，便于散热管理，并支持大电流连续输出。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　持续漏极电流：50A
　　导通电阻：1.8mΩ
　　总功耗：150W
　　结温范围：-55℃至+175℃
　　栅极电荷：35nC
　　反向恢复时间：25ns

特性

50PGV3具备以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗，提高整体效率。
　　2. 快速开关能力，适合高频工作环境。
　　3. 高雪崩能量耐受能力，增强了在异常条件下的可靠性。
　　4. 内置过热保护功能，防止因温度过高导致损坏。
　　5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
　　6. 稳定性好，能够在极端温度范围内正常运行。
　　这些特点使得50PGV3成为众多功率电子应用中的理想选择。

应用

50PGV3广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关元件。
　　2. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
　　3. 新能源领域，例如太阳能微逆变器和储能系统的功率转换部分。
　　4. LED照明设备的大功率驱动电路。
　　5. 工业自动化控制中的负载切换与保护。
　　由于其出色的性能表现，在需要高效能和高可靠性的场合下，50PGV3都能提供卓越的支持。