时间：2025/12/29 15:23:16
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50N6S2D 是一款常用的功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、逆变器以及电机控制等高功率场合。该器件采用TO-247封装，具备高电流容量和良好的热性能，适用于需要高效率和高可靠性的电路设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：50A
最大漏-源电压（VDS）：60V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.022Ω（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：160W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-247
50N6S2D MOSFET具备低导通电阻特性，这使得在高电流应用中可以显著降低导通损耗，提高系统效率。其低RDS(on)也使得该器件在高功率应用中具有良好的热稳定性。
此外，50N6S2D采用先进的沟槽技术，提供了优异的开关性能，适合高频开关电源设计。该器件的封装形式（TO-247）具有良好的散热性能，能够有效地将热量传导至散热片，从而提升整体系统的热管理能力。
该MOSFET还具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了在电压瞬态或负载突变情况下的稳定性与可靠性。同时，其栅极设计支持快速开关，减少开关损耗，适用于需要快速响应的电源转换系统。
由于其高耐流能力和高工作电压，50N6S2D非常适合用于高功率密度设计，如同步整流、电机驱动、电池管理系统（BMS）以及各种DC-DC转换器拓扑结构。
50N6S2D广泛应用于各种高功率电子设备中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制器、逆变器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统。该器件的高效率和高可靠性使其成为电源管理领域中不可或缺的元件。
IRF540N, STP55NF06, FDP50N6S2D
