型号：50N06G
　　封装类型：TO-220/TO-220F
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：50A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：200A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.022Ω @ Vgs=10V, Id=25A
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：3300pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：950pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：典型值35ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +175°C
　　功耗（Pd）：200W（带散热片）

50N06G的核心优势在于其低导通电阻与高电流处理能力的结合，这使得它在大功率开关应用中能够显著降低导通损耗，提高系统能效。其Rds(on)典型值仅为22毫欧，这意味着在通过较大电流时产生的热量较少，有助于减少对散热系统的依赖，从而缩小整体电源模块的体积。这种低Rds(on)特性得益于先进的沟槽式栅极技术和优化的硅片布局设计，使载流子迁移路径更短，提高了沟道电导率。同时，该器件具备出色的热稳定性，能够在高达175°C的结温下持续工作，适合高温环境下的长期运行。
　　另一个关键特性是其快速的开关速度。50N06G的输入和输出电容较小，配合较低的栅极电荷（Qg），使其在高频PWM控制中表现优异，适用于DC-DC变换器、同步整流等需要快速切换的应用场景。较低的栅极驱动需求也减轻了驱动电路的负担，允许使用更简单的驱动IC或分立元件实现高效控制。此外，该MOSFET具有较强的抗雪崩能量能力，能够在瞬态过压或感性负载突变时提供一定的自我保护机制，增强了系统的鲁棒性。
　　50N06G还具备良好的抗干扰能力和稳定的阈值电压特性，确保在复杂电磁环境中仍能可靠开启与关断。其TO-220封装提供了优良的机械强度和散热性能，便于安装于散热器上以进一步提升功率处理能力。综合来看，50N06G凭借其高效率、高可靠性和广泛的适用性，成为众多中高功率电力电子系统中的理想选择。

50N06G因其高电流、低导通电阻和良好的热性能，广泛应用于多种电力电子系统中。在开关模式电源（SMPS）领域，常用于AC-DC和DC-DC转换器的主开关或同步整流器，尤其是在中等功率等级（如100W至500W）的电源适配器、服务器电源和LED驱动电源中表现出色。其快速开关能力和低损耗特性有助于提升转换效率并满足能源之星等能效标准。
　　在电机驱动应用中，50N06G可用于直流电机、步进电机或无刷电机的H桥驱动电路中，作为上下桥臂的开关元件。其高电流承载能力和抗反电动势能力使其适用于电动工具、家用电器、小型电动车等设备的控制系统。
　　此外，该器件也常见于逆变器、UPS不间断电源、太阳能充电控制器等新能源相关设备中，承担能量转换与通断控制功能。在工业自动化系统中，50N06G可用于继电器替代、固态开关、电磁阀驱动等场合，提供无触点、长寿命的控制解决方案。
　　由于其封装成熟、成本适中且易于获取，50N06G也被广泛用于教育实验平台、原型开发板和DIY电子项目中，作为学习和验证功率电子技术的理想器件。

IRFZ44N
　　STP55NF06L
　　FQP50N06
　　SPW50N06S5