电容值：200 pF
　　容差：±2%
　　额定电压：25 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0805（公制 2012）
　　电介质材料：NP0/C0G
　　Q值（最小）：1000
　　自谐振频率（SRF）：850 MHz
　　直流电阻（DCR）：最大 0.05 Ω
　　绝缘电阻：10,000 MΩ（最小）

50MXG8200M25X45 是一款专为高频应用优化的多层陶瓷电容器，具有极高的稳定性和低损耗特性。其采用的 NP0/C0G 电介质材料具有极低的温度系数（通常为 0 ppm/°C），确保在不同温度下电容值保持稳定。这种电容器在高频下表现出色，具有高Q值（品质因数），降低了信号损耗，非常适合用于射频和微波电路中的调谐、耦合和去耦应用。
　　此外，该电容器的容差为 ±2%，保证了较高的精度，适合用于对稳定性要求严格的电路中。其额定电压为 25 V，能够在大多数低压射频系统中安全使用。封装尺寸为标准的 0805（2012 公制），便于表面贴装，兼容大多数 PCB 设计。
　　该器件还具有优异的长期稳定性和抗老化性能，适合在恶劣环境中使用。其高绝缘电阻和低漏电流特性，使其在精密模拟和高频数字电路中表现良好。由于其优异的电气性能和可靠性，50MXG8200M25X45 被广泛应用于无线通信设备、射频识别（RFID）、医疗电子设备和高精度测试仪器中。

50MXG8200M25X45 多层陶瓷电容器主要应用于对性能和稳定性要求极高的射频和微波电路中。它常用于无线通信设备中的滤波器、放大器和振荡器电路，用于确保信号的高质量传输和处理。该电容器也广泛用于射频识别（RFID）系统中的匹配网络和调谐电路，以提高系统的读取精度和稳定性。
　　此外，该器件适用于医疗电子设备中的射频治疗仪器和高精度传感器电路，确保设备在高频下的稳定运行。在测试和测量设备中，如频谱分析仪、网络分析仪和信号发生器中，该电容器用于构建高Q值滤波器和振荡器，以提高测量精度和信号纯度。
　　其优异的电气性能也使其适用于航空航天和国防电子系统中的射频前端模块和微波组件，满足极端环境下的可靠性和稳定性要求。同时，50MXG8200M25X45 也适用于消费类电子产品中的无线连接模块，如 Wi-Fi、蓝牙和 5G 模块中的射频匹配网络和去耦电路，确保无线信号的稳定传输。

ATC 50MXG8200M25X45 的替代型号包括 Vishay 的 VJ0805Y200KXAC 和 TDK 的 CGA8P2X7R1H201K230KA。这些型号在某些应用中可以作为替代品，但需注意其不同的容差、Q值和工作温度范围，确保其满足具体应用的需求。