时间：2025/9/8 8:43:53
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50MXG5600M30X25 是一款由 Micron Technology（美光科技）生产的 DRAM（动态随机存取存储器）模块。该模块属于 DDR4 SDRAM 类型，设计用于高性能计算、服务器、网络设备以及其他需要高速内存应用的场景。它具有较大的存储容量、高速数据传输速率以及低功耗特性，适用于现代计算机系统中对内存性能要求较高的应用。
类型: DDR4 SDRAM
容量: 64GB
电压: 1.2V
频率: 3200MHz
CL延迟: 22
数据宽度: 72位（带ECC）
引脚数: 288-pin
工作温度: 0°C 至 85°C
封装形式: RDIMM（Registered DIMM）
50MXG5600M30X25 模块采用了 DDR4 技术，具有较高的数据传输速率，最高可达 3200MT/s，从而显著提升了系统性能。该模块的工作电压为 1.2V，相比前代 DDR3 模块进一步降低了功耗，提高了能效比。它还支持 ECC（错误校正码）功能，可提供更强的数据完整性和系统稳定性，特别适用于服务器和工作站等对数据可靠性要求极高的环境。此外，该模块集成了寄存器（Registered），有助于减少内存控制器的电气负载，提高系统在多模块配置下的稳定性。
此内存模块采用了先进的制造工艺，具备良好的散热性能和抗干扰能力，能够在高温和复杂电磁环境中稳定运行。同时，它兼容主流的服务器平台和主板，安装简便，易于升级，为用户提供了灵活的扩展能力。
50MXG5600M30X25 主要应用于高性能服务器、数据中心、企业级存储设备、高端工作站以及需要大容量高速内存的嵌入式系统。在虚拟化环境、数据库服务器、云计算平台以及大型企业应用中，该内存模块能够有效支持大量并发任务的处理，提升系统响应速度和运行效率。此外，它也适用于需要高可靠性和容错能力的金融、医疗、工业自动化等领域，确保关键任务数据的稳定传输和处理。
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