时间：2025/9/8 12:31:20
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50MXG5600M22X45 是一款由 Micron Technology, Inc. 生产的 DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于高密度、高性能的存储解决方案，适用于需要快速数据访问和大容量存储的应用场景。其设计旨在满足高端计算、网络设备和嵌入式系统对内存性能和可靠性的严格要求。
类型：DRAM
容量：512MB
组织结构：x4、x8、x16
电压：1.7V - 3.3V
访问时间：5.4ns（最大）
封装：TSOP
引脚数：54
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
50MXG5600M22X45 是一款高性能的DRAM芯片，具备快速存取和低延迟的特点。其高容量512MB使得它适用于需要大量数据存储和频繁访问的应用。该芯片支持多种组织结构（x4、x8、x16），提供了灵活的配置选项，能够适应不同的系统需求。工作电压范围广泛（1.7V - 3.3V），使其在各种电源条件下都能稳定运行。封装形式为TSOP，具备良好的热性能和机械稳定性，适用于工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）。此外，该芯片的访问时间为5.4ns，确保了快速的数据响应能力，适用于高速缓存、主存和其他需要高性能存储的场景。
该芯片广泛应用于高端计算设备、服务器、网络设备（如路由器和交换机）、工业控制系统以及嵌入式系统中，特别适合需要高性能和大容量存储的场合。
IS42S16400J-6T、CY7C1041CV33-10ZSXC、MT48LC16M22A2B4-6A
