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50MXC12000M35X40 发布时间 时间:2025/9/8 12:04:58 查看 阅读:81

50MXC12000M35X40 是一款由 Micron Technology 制造的高性能 DDR4 SDRAM 内存模块。该模块专为需要高速数据传输和高容量内存的应用设计,适用于服务器、工作站以及其他对性能要求较高的计算设备。

参数

容量:12GB
  类型:DDR4 SDRAM
  电压:1.2V
  时钟频率:3500MHz
  数据传输率:3500MT/s
  引脚数:288-pin
  工作温度范围:0°C 至 85°C

特性

50MXC12000M35X40 是一款专为高性能计算环境设计的 DDR4 内存模块。其主要特点是高容量、低电压和高速数据传输。DDR4 技术相比前代 DDR3 提供了更高的带宽和更低的功耗,使其成为现代服务器和工作站的理想选择。该模块支持 ECC(错误校正码)功能,能够检测和纠正单比特内存错误,从而提高系统的稳定性和可靠性。
  该内存模块的工作频率为 3500MHz,数据传输速率达到 3500MT/s,能够显著提升系统的数据处理能力。其 1.2V 的工作电压相比 DDR3 的 1.5V 或 1.35V 进一步降低了功耗,有助于减少热量产生,提高能效比。此外,50MXC12000M35X40 采用 288 针 UDIMM 封装形式,兼容主流服务器和工作站主板,安装方便。
  该模块支持多种高级功能,包括 Bank Group 架构、预取缓冲器、温度传感器和动态 ODT(On-Die Termination)等,进一步优化了内存性能和稳定性。其工作温度范围为 0°C 至 85°C,能够适应各种复杂的运行环境。

应用

50MXC12000M35X40 主要应用于高性能服务器、企业级工作站以及需要大量内存和高速数据访问的计算平台。其高带宽和低功耗特性使其特别适合用于虚拟化环境、数据库服务器、云计算基础设施和科学计算等领域。
  在服务器领域,该内存模块可以提升多任务处理能力和系统响应速度,满足数据中心对高性能和高可靠性的需求。在工作站应用中,它能够支持复杂的数据处理任务,如 3D 渲染、视频编辑和仿真计算等。此外,该模块也可用于高端桌面平台,适用于需要大量内存支持的专业应用和高性能计算任务。

替代型号

MTA18ASF1G72PZ-3G2B1, CT12G4SFD8350M, KHX3200C16D4/12GX

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