类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：14A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.36Ω（典型值）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

50MS74R7MT50465 具备一系列高性能特性，使其适用于各种高功率开关应用。首先，其漏源电压（Vds）为500V，能够在高电压环境下稳定运行，适用于高功率开关电源和电机控制电路。其次，该MOSFET的导通电阻仅为0.36Ω，有助于降低导通损耗，提高能效。此外，其最大连续漏极电流为14A，能够支持较大的负载电流，满足高功率应用的需求。
　　该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提升了开关速度并降低了开关损耗，适用于高频开关应用。同时，其TO-263（D2PAK）封装设计具有良好的散热性能，确保在高功率运行时保持稳定的工作温度。该封装形式还支持表面贴装安装，提高了PCB布局的灵活性和可靠性。
　　在可靠性方面，50MS74R7MT50465 具有高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态电压冲击下保持正常工作，减少器件损坏的风险。此外，其栅极驱动电压范围较宽（±30V），兼容多种驱动电路设计，提高了应用的灵活性。该器件还具备良好的热稳定性，能够在恶劣的工作环境下长时间运行。

50MS74R7MT50465 主要应用于高功率开关电源、DC-DC转换器、UPS不间断电源、逆变器、电机控制以及工业自动化设备等领域。在开关电源设计中，该MOSFET可作为主开关器件，用于实现高效的能量转换。在DC-DC转换器中，其低导通电阻和快速开关特性有助于提高转换效率并减少发热。在电机控制电路中，该器件能够承受较大的负载电流，并在高频开关条件下保持稳定运行。
　　此外，该MOSFET也可用于LED照明驱动、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器等应用。其高耐压特性使其适用于高压直流母线系统中的功率开关。由于其良好的散热性能和较高的可靠性，50MS74R7MT50465 也广泛用于工业自动化设备中的功率控制模块，确保系统在高负载条件下稳定运行。

IRF5003, FQA14N50C, 2SK2148